非晶ErAlO高k栅介质薄膜的制备及性能研究

• 作者: 方泽波 谌家军 陈伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Er_2O_3-Al_2O_3 高k栅介质 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 3449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.01.009

摘要

采用射频磁控溅射法在p型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er_2O_3-Al_2O_3(ErAlO)栅介质复合氧化物薄膜.研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性.XRD测量显示,ErAlO薄膜具有良好的热稳定性,样品经过900 ℃氧气氛退火30 min后仍保持非晶态结构.AFM照片显示,其表面粗糙度小于0.2 nm,平整度良好.ErAlO栅MOS结构在氧分压为1 %时,薄膜的有效相对介电常数为9.5,外加偏压(V_g)为-1 V时样品的漏电流密度为7.5×10~(-3)A/cm~2.非晶ErAlO薄膜是一种很有希望取代SiO_2的新型高k栅介质候选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方泽波	绍兴文理学院物理与电子信息系	15	18	2.0	3.0
2	谌家军	西华师范大学物理与电子信息学院	28	114	6.0	8.0
3	陈伟	西华师范大学物理与电子信息学院	9	55	5.0	7.0