O2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO2薄膜的影响

• 作者: 刘文婷 刘正堂
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2 薄膜 O2/Ar气体流量比 择优取向生长
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 62-66
• 分类号: TB43
• 字数: 4322字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜.通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响.结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降.O2/Ar气体流量比为0时制备的薄膜沿[001]方向择优取向生长,具有较高的结晶程度,较大的晶粒尺寸和柱状晶形貌.O2/Ar气体流量比不为0时制备的薄膜没有出现择优生长,结晶程度较低,晶粒尺寸较小,具有球形颗粒状形貌.随着O2/Ar气体流量比从0.25增加到0.50,薄膜的晶粒尺寸有所增大,形貌变化不大.最后探讨了O2/Ar气体流量比为0时制备HfO2薄膜择优取向生长的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
2	刘文婷	西安石油大学材料科学与工程学院	11	14	3.0	3.0