直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VOx薄膜的工艺和性能

• 作者: 储汉奇 宋泽润 李合琴 聂竹华 都智
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 直流/射频磁控共溅射 VOx薄膜 W掺杂 相变温度 基底
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 65-68
• 分类号: TB43
• 字数: 3196字
• 语种: 中文

摘要

用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOx薄膜和W掺杂VOx薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试.结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOx薄膜,经Ar气氛中450℃退火2h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右.XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOx晶格；另外单晶硅片上制备的VOx薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李合琴	合肥工业大学材料科学与工程学院	71	273	8.0	12.0
2	宋泽润		11	18	3.0	4.0
3	聂竹华	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	17	2.0	4.0
4	储汉奇	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	17	2.0	4.0
5	都智	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	17	2.0	4.0