自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较

• 作者: 丁召 何浩 周勋 杨再荣 罗子江 贺业全
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: MBE RHEED InAs/GaAs InGaAs/GaAs 自组装 退火
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 82-84
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 1654字
• 语种: 中文

摘要

本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率.对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州大学理学院	46	63	4.0	6.0
5	周勋	贵州大学理学院	18	49	4.0	6.0
7	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
10	杨再荣	贵州大学理学院	8	31	3.0	5.0
11	贺业全	贵州大学理学院	4	25	2.0	4.0
12	何浩	贵州大学理学院	4	25	2.0	4.0