Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响

• 作者: 冯志红 刘波 尹甲运 敦少博 李佳 王晶晶 蔡树军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN Al沉积时间 喇曼 光荧光谱 硅衬底
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 668-671
• 分类号: O484.5
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.09.004

摘要

通过改变高温AlN形核层生长时提前通入TMAl的时间,分别在Si (111)衬底上生长了4个1μm厚的GaN样品,并对每个样品的GaN外延材料进行了分析研究.通过显微镜观察发现,Al的沉积时间为12 s时,GaN材料表面光亮,基本没有裂纹.另外通过喇曼谱和光荧光谱(PL)测试得出,随着生长初期Al沉积时间的增加(8～15 s),GaN外延层的水平应力逐渐减小(由1.28 GPa减小到0.67 GPa),Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的应力较小.同时,GaN材料(002)和(102)晶面的X射线衍射摇摆曲线表明,Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的晶体质量最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军		18	62	4.0	7.0
2	冯志红		38	81	5.0	5.0
3	李佳		7	8	2.0	2.0
4	王晶晶		4	3	1.0	1.0
5	刘波		11	33	4.0	5.0
6	尹甲运		13	32	4.0	5.0
7	敦少博		10	19	3.0	4.0