离子源对磁控溅射制备TiNC膜基结合力的影响

• 作者: 刘树红 林晶 钱锋
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 阳极层离子源 膜基附着力 TiNC 中频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 78-82
• 分类号: TG174|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2012.01.019

摘要

由于膜基附着力不好,膜层脱落问题是工业生产中磁控溅射镀制黑膜最常见的问题.本实验采用 阳极线性离子源和霍尔点源辅助磁控溅射复合技术制备了TiNC薄膜,探讨解决TiNC膜基附着力不好的问题.初步实验结果表明,离子束辅助沉积对于改善膜基附着力的作用并不明显,本文还比较了脉冲偏压清洗对膜基附着力的影响,探讨了其可能影响因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林晶		40	160	7.0	11.0
3	钱锋		8	16	3.0	3.0
6	刘树红		1	0	0.0	0.0