热冲击应力对非硅MEMS器件可靠性的影响

• 作者: 刘加凯 齐杏林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 非硅MEMS器件 热冲击应力 分层失效 疲劳
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 71-74
• 页数: 4页
• 分类号: TN403
• 字数: 2276字
• 语种: 中文

摘要

以非硅MEMS器件作为研究对象,建立了非硅MEMS器件基本结构的热-机械耦合的有限元分析模型,并加载-60～+150℃的热冲击应力进行有限元分析.分析结果表明,热冲击应力导致结构层间由于热膨胀系数失配而产生应力,其中铜层与铬层界面间应力最大,且主要表现为x方向的剪切应力,其随温度循环在-75.6 MPa至125.3MPa之间转换,因此该界面间最易发生疲劳失效,导致结构分层.在此基础上,对某非硅MEMS惯性开关开展了热冲击试验和随机振动试验,验证了理论分析结果的正确性,找到了非硅MEMS器件的主要失效模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐杏林	军械工程学院弹药工程系	90	387	11.0	15.0
2	刘加凯	军械工程学院弹药工程系	14	57	4.0	7.0