隧穿晶体管研究进展

• 作者: 安宁 骆志炯
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿晶体管 亚阈值摆幅 双极特性 导通电流 低功耗
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 561-565
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.001

摘要

随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重.隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小于60 mV/dec的亚阈值摆幅,具有很好的低功耗应用前景.但常规的隧穿晶体管导通电流比较小,而且具有双极特性.首先介绍了隧穿晶体管的结构和工作原理.其次,针对常规隧穿晶体管问题,综述了国内外研究进展,包括Ge材料隧穿晶体管、纳米线隧穿晶体管等.最后介绍了一种基于隧穿介质层的新型隧穿晶体管,器件仿真结果表明这种新型器件可以有效抑制双极特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安宁	中国科学院微电子研究所	10	67	4.0	8.0
2	骆志炯	中国科学院微电子研究所	3	12	2.0	3.0