0.13 μm IC产品MM模式ESD失效机理

• 作者: 吴峰霞 申俊亮 蔡斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电(ESD) ESD保护电路 ESD损伤 失效模式 失效机理
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 786-791
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.10.013

摘要

对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究ESD失效机理.结果表明:0.13 μm硅工艺IC产品芯片ESD失效可发生在任一输入/输出(I/O)管脚与地/电源之间;失效模式主要为金属熔融、介质击穿和MOS管过流烧毁;失效原因为静电压导致I/O与地(GND)之间的ESD保护电路NMOS管漏端击穿烧毁引起大电流,造成金属局部发热达到AI的熔点发生熔融而致短路,I/O与电源之间的过电压造成GND的焊盘发生电压击穿现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴峰霞		1	1	1.0	1.0
2	申俊亮		1	1	1.0	1.0
3	蔡斌		2	5	1.0	2.0