600 V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真

• 作者: 吴郁 周新田 张惠惠 穆辛 胡冬青 贾云鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 内透明集电极(ITC) 槽栅 点注入 局部窄台面(PNM)
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 745-749,775
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.10.005

摘要

针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明集电极IGBT.采用仿真工具ISE-TCAD,对PNM-ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性等进行仿真,重点研究局域载流子寿命控制层的位置及其对内载流子寿命的影响,并与普通槽栅内透明集电极IGBT进行对比.结果表明,新结构具有较低的通态压降和关断损耗,尤其在短路特性方面,提高了槽栅IGBT的抗烧毁能力,且局域载流子寿命控制层的位置和寿命存在最佳范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	38	215	9.0	13.0
2	胡冬青	北京工业大学电子信息与控制工程学院	27	114	7.0	9.0
3	贾云鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	16	107	7.0	9.0
4	张惠惠	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	14	2.0	3.0
5	周新田	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	22	3.0	4.0
6	穆辛	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	22	3.0	4.0