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SnBiEr/Cu界面反应及时效过程中IMC的研究
SnBiEr/Cu界面反应及时效过程中IMC的研究
作者:
余啸
李玉龙
胡小武
闵志先
黄强
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SnBiEr无铅钎料
钎焊
界面反应
时效
IMC
偏聚
摘要:
采用SEM观察等手段研究了Sn58BixEr(x=0,0.1,0.5;表示添加质量分数0.01%,0.5%的Er)/Cu钎焊接头界面反应以及在120℃时效过程中金属间化合物(IMC)的生长行为.实验结果表明:Sn58BixEr/Cu钎焊接头IMC层厚度随着钎焊温度的升高而增厚,添加微量的Er能够有效抑制界面IMC的生长.在时效过程中,界面IMC层的厚度随着时效时间的增加而逐渐增厚.通过对实验数据进行拟合,得出120℃时效温度下Sn58Bi0.1Er/Cu和Sn58Bi0.5Er/Cu的IMC层的生长速率常数分别为3.42×10-16 m2/s和2.84×10-16 m2/s.
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内容分析
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文献信息
篇名
SnBiEr/Cu界面反应及时效过程中IMC的研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
SnBiEr无铅钎料
钎焊
界面反应
时效
IMC
偏聚
年,卷(期)
2014,(4)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
25-29
页数
5页
分类号
TN601
字数
3049字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2014.04.007
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李玉龙
南昌大学机电工程学院
78
446
10.0
17.0
2
胡小武
南昌大学机电工程学院
22
95
6.0
8.0
3
余啸
南昌大学机电工程学院
8
25
3.0
4.0
4
闵志先
10
32
4.0
5.0
5
黄强
南昌大学机电工程学院
5
41
3.0
5.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
(88)
参考文献
(17)
节点文献
引证文献
(3)
同被引文献
(9)
二级引证文献
(9)
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二级参考文献(2)
1990(1)
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1992(1)
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二级参考文献(1)
1994(5)
参考文献(0)
二级参考文献(5)
1996(2)
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界面反应
时效
IMC
偏聚
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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电子元件与材料2014年第7期
电子元件与材料2014年第6期
电子元件与材料2014年第5期
电子元件与材料2014年第4期
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