1nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响

• 作者: 施敏 朱友华 王美玉 黄静
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝/蓝宝石衬底 有机金属化学气相沉积法(MOCVD) 深紫外发光二极管 电子阻挡层 光学与电学特性
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 743-746
• 分类号: TN304.26|TN364.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.005

摘要

采用有机金属化学气相沉积法,在1 μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm.使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能.通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致.此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果.通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施敏	南通大学电子信息学院	34	78	5.0	7.0
2	黄静	南通大学电子信息学院	32	90	4.0	8.0
3	王美玉	南通大学电子信息学院	13	4	1.0	1.0
4	朱友华	南通大学电子信息学院	16	11	2.0	3.0