用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计

• 作者: 刘轶 史佳 崔杰 康春雷 牛旭 赵鹏 陈磊
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅工艺 单刀八掷开关 插入损耗 隔离度 功率处理能力
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 65-68,100
• 页数: 5页
• 分类号: TN820.8+3
• 语种: 中文

摘要

提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现.由于衬底电阻率高达1 000 Ω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0～2.4 GHz频段内均小于1 dB,隔离度平均大于35 dB,功率处理能力也达到了36 dBm以上,完全满足设计需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊	中国科学院上海高等研究院	65	345	10.0	15.0
2	赵鹏	中国科学院上海高等研究院	62	531	10.0	21.0
3	崔杰	中国科学院上海高等研究院	34	148	7.0	10.0
4	康春雷	中国科学院上海高等研究院	4	6	1.0	2.0
5	史佳	中国科学院上海高等研究院	5	8	2.0	2.0
6	牛旭	中国科学院上海高等研究院	3	0	0.0	0.0
7	刘轶	中国科学院上海高等研究院	3	0	0.0	0.0