氮化时间对脉冲激光沉积AlN薄膜性能的影响

• 作者: 刘作莲 李国强 杨为家 王文樑 王海燕
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 脉冲激光沉积(PLD) 氮化时间 高分辨X射线衍射(HRXRD) 扫描电子显微镜(SEM)
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 836-840,845
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.008

摘要

应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜.研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时观测,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜的结构性能以及表面形貌等进行表征和分析.结果表明,随着氮化时间的增加,AlN形核种子数量增加并逐渐有序,促进AlN薄膜由多晶转为单晶并提高其晶体质量,有利于AlN薄膜由三维生长转为二维生长,改善AlN薄膜表面形貌.为采用PLD技术制备高质量AlN基器件提供了一种新思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国强	华南理工大学材料科学与工程学院	22	104	4.0	9.0
5	刘作莲	华南理工大学材料科学与工程学院	4	5	2.0	2.0
6	王海燕	华南理工大学材料科学与工程学院	19	377	8.0	19.0
7	杨为家	华南理工大学材料科学与工程学院	4	3	1.0	1.0
8	王文樑	华南理工大学材料科学与工程学院	6	6	2.0	2.0