基于SU-8/PMMA双层胶技术的硅点阵结构制作

• 作者: 丁可 揭建胜 王宇 王旭迪 陶伟
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: SU-8/PMMA 软压印 硅点阵 湿法刻蚀 反射率
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 真空应用
• 页码范围: 66-69
• 分类号: TB79
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了一种通过SU-8/PMMA双层胶制备硅点阵结构的方法,首先用PDMS模板压印带SU-8/PMMA双层胶的硅片,用ICP刻蚀后,得到具有内切结构的光刻胶掩膜,镀金属膜并去胶后,进行金属辅助化学湿法刻蚀,在硅片表面获得点阵结构.实验结果表明,通过该方法获得的硅点阵结构的反射率较平面硅有显著降低;该方法成本较低,过程简单,由于采用软压印和低压压印的方式,可实现硅点阵结构的大面积制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭建胜	合肥工业大学机汽学院真空与过装系	4	16	2.0	4.0
2	王宇	合肥工业大学机汽学院真空与过装系	10	44	4.0	6.0
3	王旭迪	合肥工业大学机汽学院真空与过装系	40	192	9.0	12.0
4	陶伟	合肥工业大学机汽学院真空与过装系	7	21	4.0	4.0
5	丁可	合肥工业大学机汽学院真空与过装系	1	1	1.0	1.0