基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器

• 作者: 彭安尽 来晋明 杨瑜 由利人 罗嘉 赵伟星
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 宽带功率放大器 平衡功率放大器 宽带匹配 3 dB耦合器
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 44-48,72
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.009

摘要

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ～4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8～4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41％ ～62％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	由利人	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	15	2.0	3.0
2	来晋明		1	13	1.0	1.0
3	罗嘉		1	13	1.0	1.0
4	杨瑜		1	13	1.0	1.0
5	赵伟星		1	13	1.0	1.0
6	彭安尽		1	13	1.0	1.0