一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件

• 作者: 乔明 周锌 张波 李阳 梁涛 黄勇
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿电压 比导通电阻 多电极
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 247-249,267
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1396字
• 语种: 中文

摘要

针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件.该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个低阻的导电通道,从而降低了比导通电阻.在漂移区引入多个额外电场峰值,提高了器件的击穿电压.与传统结构相比,新结构能够将击穿电压从325 V提高到403V,并且比导通电阻降低43％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李阳	电子科技大学微电子与固体电子学院	27	119	5.0	10.0
3	乔明	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	178	8.0	12.0
4	黄勇	电子科技大学微电子与固体电子学院	27	253	8.0	15.0
6	周锌	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	6	1.0	2.0
9	梁涛	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	6	1.0	2.0