超高导热金刚石铜复合材料在GaN器件中的应用

• 作者: 季兴桥 来晋明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石铜 GaN芯片 镀涂 热沉 散热
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术
• 页码范围: 310-314
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.012

摘要

金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉.未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理.采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜无损伤,提升了金刚石表面结合力.金刚石铜镀层对金锡(AuSn)和锡铅(PbSn)焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求.GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃.金刚石铜载板镀层润湿性良好,焊接后芯片底部的空洞率不大于3％,热沉焊接后空洞率不大于5％,满足高功率芯片散热要求.按照产品环境适应要求,对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验,最终满足可靠性考核要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季兴桥	中国电子科技集团公司第二十九研究所	5	13	2.0	3.0
2	来晋明	中国电子科技集团公司第二十九研究所	2	2	1.0	1.0