带N型浮空岛的新型LDMOS

• 作者: 冯全源 曾思杰 陈晓培
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 浮空岛 LDMOS 击穿电压 优值
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 266-270
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170294

摘要

为了解决薄外延横向功率器件的纵向耐压问题,提出了一种带有N型浮空岛的新型LDMOS.与传统LDMOS不同,该结构在漏端下方的衬底耗尽层内加入多个纵向排列的N型浮空岛,扩展了衬底的耗尽层,降低了漏端下方的高电场,在纵向引入新的峰值电场,优化了器件的横向和纵向电场分布,大幅提高了器件的击穿电压.利用Sentaurus TCAD软件对新结构进行了仿真.结果表明,漂移区长度均为80 μm时,新结构的击穿电压为964V,比相同漂移区长度下的传统LDMOS提高了113.7％,优值为1.01MW·cm-2,比传统LDMOS提高了211％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
3	曾思杰	西南交通大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0