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摘要:
采用活性金属钎焊技术制备Cu/Si3N4/Cu陶瓷覆铜板,在-65~150℃温度条件下经历500次温度循环后,基板无裂纹、翘起、起皮等缺陷.对基板进行微电子组装和可靠性试验,基板与芯片的焊接浸润性较好,焊接强度及长期可靠性满足标准要求.基板粘接元器件后无渗胶现象,且环境组考核合格.在基板上键合4种常用规格的铝丝,键合后和N2环境中热存试验后的键合强度均符合标准要求.研究结果表明,高导热氮化硅覆铜板满足功率器件的高可靠性应用需求.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高导热氮化硅覆铜板在功率器件中的应用可靠性
来源期刊 电子工艺技术 学科 工学
关键词 陶瓷基板 氮化硅 活性金属钎焊 高可靠
年,卷(期) 2022,(1) 所属期刊栏目 微组装技术 SMT PCB|MICRO-ASSEMBLY SMT PCB
研究方向 页码范围 18-21
页数 4页 分类号 TN406
字数 语种 中文
DOI 10.14176/j.issn.1001-3474.2022.01.006
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研究主题发展历程
节点文献
陶瓷基板
氮化硅
活性金属钎焊
高可靠
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
双月刊
1001-3474
14-1136/TN
大16开
太原市115信箱
22-52
1980
chi
出版文献量(篇)
2306
总下载数(次)
10
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