半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  57-62
    摘要:
  • 作者: 刘明 夏洋 王燕 薛丽君 陈宝钦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  63-65,56
    摘要: AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点.2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切.本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产...
  • 作者: 侯睿 刘笑 张定春 李志宏 李洪涛 熊军 陈轩 雷波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  66-69,73
    摘要: 提出一种利用有效折射率方法分析SOI矩形光波导定向耦合器的理论,并且取得了与精确解非常吻合的结果,最后得出了一些有用的结论,对分析和设计光波导定向耦合器有一定指导意义.
  • 作者: 贾嘉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  70-73
    摘要: 溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点,成为获得高性能纳米材料的重要手段.本文介绍了离子束溅射和磁控溅射技术的基本原理、方法及其在制备纳米材料中的应用和优点,以国内外这方面的最新进展.文章最后对...
  • 作者: 刘媛媛 吕卉 王丽明 王勇刚 马骁宇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  74-75,79
    摘要: 介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和应用.制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/...
  • 作者: 周祖成 陈曦 鲁京
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  76-79
    摘要: 提出了一种ARM7TDMI核和先进微控制器总线架构的无线局域网MAC控制器片上系统方案,对各个组成模块进行了详细描述,并从设计复杂度、功耗、性能等方面对其该方案和其他方案进行了分析和比较.
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  80-81
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  82-85,91
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  86-91
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  92-93
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  94-95
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  97-98
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年7期
    页码:  99-100
    摘要:
  • 作者: 吴德馨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  1-1,14
    摘要:
  • 作者: 成兴明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  2-5,24
    摘要: 为了保护生态环境,2003年2月1 3日,欧盟公布了两个指令:WEEE(废弃的电气和电子装置)、RoHS(在电气和电子装置中限制使用其废弃物会产生有害物质的某些材料),指令规定必须在废弃的电...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  6-9
    摘要:
  • 作者: 刘丽 韩琦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  10-14
    摘要: 半导体产业进入深亚微米时代,系统单芯片SOC逐渐成为半导体产业发展的趋势,作为SOC的核心组成SIP应运而生,SIP产业将成影响SOC的重要因素,以SIP复用技术为基础的SOC,将对现有的I...
  • 作者: 刘宝林 潘群峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  15-18,33
    摘要: 宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快.p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制.本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾...
  • 作者: 尚玉全 曾云 滕涛 高云
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  19-24
    摘要: 介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势.
  • 作者: 张丽娟 李和委
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  25-29
    摘要: 随着现代军事系统和民用领域的发展,对低噪声、低功耗接收机模块的需求量越来越大.本文从蜂窝移动、GPS、CDMA和卫星通信四个方面简单阐述了低噪声接收机模块在无线领域的应用.最后,介绍了低噪声...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  30-33
    摘要:
  • 作者: 徐向明 赵毅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  34-37
    摘要: 随着栅极氧化膜的减薄,等离子对氧化膜的损伤(Plasma Process Induced Damage,P2ID)越来越受到重视.它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能...
  • 作者: 李敬 钱省三
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  38-40,46
    摘要: 首先分析了半导体制造中颗粒污染的来源,然后介绍了用C控制图进行颗粒污染控制的方法及其不足,进而提出了用多元回归分析进行颗粒污染控制的方法及实施.
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  41-46
    摘要:
  • 作者: 徐远志 晏敏 黎福海
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  47-48,52
    摘要: 将传统直流四探针测试仪与嵌入式系统相结合,研制出数字化智能四探针测试仪.该仪器可以自动识别被测样品电阻率,并自动切换到最佳档位,操作简便工作效率高,具有一定的实用和开发价值.
  • 作者: 鲜飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  49-52
    摘要: 微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发.本文主要介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析.
  • 作者: 程璇 郑宣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  53-56
    摘要: 综述了近10年来国内外在半导体硅片金属微观污染研究领域的进展.研究了单金属特别是铜的沉积、形成机理和动力学以及采用的研究方法和分析测试手段,包括对电化学参数和物理参数等研究.指出了随着科学技...
  • 作者: 何冬明 倪国宗 冉峰 林贻山 薛忠杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  57-61
    摘要: 简要介绍串行通信口芯片的接口、功能,详细讨论了串行通信口的系统级、行为级、RTL级的设计过程,并在RTL级设计中提出了几种实现资源共享的方法,精简了系统设计结构,有效地减小了芯片的面积.
  • 作者: 张炜 王家斌 高勇进 黄绪江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  62-64,79
    摘要: 设计了一种可广泛应用于CD/DVD-ROM马达伺服系统的小功率马达驱动集成电路.简要描述了该电路的功能,特别介绍了一些主要电路功能模块的工作原理,并作了相应的数学推导.
  • 作者: 蔡敏 黄舒怀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2004年8期
    页码:  65-68
    摘要: 描述了超前进位加法器的一种优化设计.在结构上采用按4位分组进行超前进位的方法达到并行、高速的目的.为了在高速运算的同时降低功耗,对求和式子进行了逻辑变换;在晶体管级进行优化的单元电路设计,可...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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2. 中国科技论文统计用刊
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