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半导体技术2005年第7期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 结合IC设计业的发展现状及特点,对如何通过引进风险投资来促进我国IC设计业的发展进行了研究,并提出了相关建议.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
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3. 键合技术的研究进展及应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件.概括介绍了近年来Ⅲ-V族化合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 光栅光阀(GLV)是一种基于微机电系统技术的新型微型反射光栅,在静电力的作用下微梁弯曲,从而获得所需要的光强分布.讨论了GLV的原理,结合其特点给出GLV的典型应用;比较了两种常用的计算机模...
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5. 解读Da VincTM刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能.通过红外扫描仪观察晶体硅中的晶界、位错和不同金属沉淀的分布和形貌,并分析其相关信息.与传统研究手段相比,红外扫描仪不仅可以直接观察到体内的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm量级范围内的杂质浓度分布的方法.首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理.用S...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 利用光学和电子学结合的方法,建立了基于多光束光学传感器和光电检测电路的检测薄膜特性装置.通过对反射光光点间距变化和光强振荡的检测,实时检测薄膜应力、厚度、生长率等常数的信息.通过理论分析,该...
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9. 视频阻抗测试仪的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 根据国家测试标准(GB6570-86)的要求,考虑到视频阻抗(Rv)测试仪所需偏置电流较小和恒流源稳定度较高的特点,选取了LM334集成电路作为恒流源的核心,采用由感容并联谐振回路组成的选频...
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10. 光电控制高精度检测系统研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 本系统基于红外传感技术设计,用于检测物体直径.通过选型调试,系统安装对射距离可实现5mm～30m.调节系统精度,检测体直径φ≥0.05mm均能实现自动检测.文章介绍了该系统工作流程及主要功能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估.展示了在0.13μm及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果.
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13. 环氧塑封料的性能和应用研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 介绍了环氧塑封料的国内外发展概况,着重论述了其物理性能、机械性能、热性能、导热性能、电性能、化学性能、阻燃性能、贮存性能、封装性能,以及应用中封装工艺、缺陷的解决办法,并就发展前景发表了自己...
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14. 陶瓷封装电路内部水汽的稳定性控制刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 简述了集成电路陶瓷封装内部水汽含量的不稳定性,主要是由粘接材料导电胶在高温下分解释放出的水汽所造成的.不同的封装温度内部水汽含量不一样.说明导电胶应充分固化,尽可能在较低的温度下进行封盖.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法.列举了三种...
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16. 电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器.在标准的3.3V电源电压,功耗为133.77mW.在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 对一种高速CMOS ECL输入接口进行了分析研究,该接口包含一种双镜补偿的CMOS差分放大电路,采用0.18 μm CMOS工艺研制,实现了PECL电平兼容.经测试,该接口最高工作频率达1....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 介绍了一种宽带CMOS运算放大器的设计,通过对其S域传输函数的分析,设计合理的补偿办法,分析了影响电路传输函数的因素,在各种条件下研究了电路偏置的稳定性,最后得到了一种比较理想的实用偏置结构...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
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21. 新闻点评刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
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22. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
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23. 半导体市场刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
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24. 业界动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
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25. 产品博览刊名： 半导体技术发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
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