电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验

• 作者: 夏志林 朱选敏 葛春桥 薛亦渝 郭爱云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZAO薄膜 电子束蒸发沉积 正交试验
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.07.016

摘要

采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用.试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为2 50℃,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏志林	武汉理工大学材料科学与工程学院	29	159	7.0	12.0
2	薛亦渝	武汉理工大学材料科学与工程学院	48	532	13.0	21.0
3	葛春桥	武汉理工大学材料科学与工程学院	7	90	5.0	7.0
4	郭爱云	武汉理工大学材料科学与工程学院	10	84	6.0	9.0
5	朱选敏	武汉理工大学材料科学与工程学院	3	30	3.0	3.0