用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究

• 作者: 刘世杰 唐雄贵 杜惊雷 杜春雷 罗铂靓 郭永康
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻胶 前烘 曝光 显影
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.07.011

摘要

对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光学器件提供了参考依据,对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永康	四川大学物理学院	87	836	16.0	21.0
2	杜惊雷	四川大学物理学院	77	611	13.0	18.0
3	刘世杰	陕西理工学院物理系	10	74	5.0	8.0
4	唐雄贵	四川大学物理学院	21	174	7.0	12.0
5	杜春雷		6	62	5.0	6.0
6	罗铂靓	四川大学物理学院	6	64	5.0	6.0