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半导体技术2007年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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211. 电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用.采用自主设计的ICPCVD设备,在不同的衬底条件和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 用直流磁控溅射法分别在Si及陶瓷管上制备掺有CuO的SnO2纳米薄膜,并用马弗炉进行500 ℃和700 ℃的退火处理.利用气敏测试系统对各样品进行气敏特性测试,500 ℃退火的样品对几种被测...
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213. 等效器件补偿法提高功率放大器的线性刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 针对减少功放的非线性交调失真,提出了一种简单有效的线性化电路设计方法,并以pHEMT功放为例,通过在栅漏之间并联一个变容二极管,对引起非线性失真的pHEMT输入端电容进行补偿,使功率放大器的...
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214. 开关线性复合式功率放大器波形发生电路设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 波形发生电路为开关线性复合式功率放大器的功率放大单元提供所需频率范围的柔性波形信号.介绍了一种基于直接数字频率合成技术的波形发生电路的设计方案.给出了系统设计的整体思路、主要功能模块电路的硬...
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215. 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120 ℃...
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216. 多媒体SOC芯片的低功耗设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 从集成电路功耗原理出发,分析了CMOS电路功耗的来源,从集成电路设计的系统级、算法级、架构级、电路/门级以及工艺/器件级五个抽象层次出发,整理、总结了当前主要的低功耗设计方法,并在实际的移动...
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217. SC-FDE系统的一种新型判决反馈均衡器刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 针对单载波频域均衡系统MMSE均衡器存在残留码间干扰的缺点,提出MMSE-RISIC判决反馈均衡器消除残留码间干扰.MMSE-RISIC均衡器采用传统MMSE均衡后的判决数据,对残留码间干扰...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 在FPGA的设计生产过程中,FPGA的测试是一个至关重要的环节.分析了基于SRAM配置技术的FPGA的结构组成及FPGA的基本测试方法.针对6000门可编程资源的FPGA,提出了一种基于阵列...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 为了降低纳米级芯片设计中功耗主体之一的静态功耗,从产生静态功耗的来源出发,提出了使用多阈值技术降低静态功耗,给出利用多阈值技术的多种实现方法.以COSTARⅡ芯片为实例,利用90 nm多阈值...
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221. 自呼吸式硅微机械氢燃料电池的阳极流场优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 利用硅微机电系统(MEMS)技术,设计并制作了点状、蛇形和点蛇混合三种微型氢/空气质子交换膜燃料电池(μPEMFC)阳极流场板,测定了三种不同阳极结构电池的极化和功率密度曲线、交流阻抗图及燃...
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222. 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要：
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224. 三管齐下推动销售额倍增刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要：
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225. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要：
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226. 用于制备硅LED的太阳能电池技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题.制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈.硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长.所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引...
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227. 无铅工艺在塑封晶体管生产中的现状及进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 越来越多的国家开始限制铅在人们生活中的使用.对于电气设备,无铅焊接已经成为产品出口欧盟等国家的先决条件,我国也制定了相应的应对措施.就此对无铅焊接的由来,以及在我国的实施情况进行了阐述,对无...
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228. 半导体产业供应链结构研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 对半导体行业供应链结构的现状进行了分析,对处在供应链上的每个环节进行了描述,并分析了影响整个半导体行业供应链运行效率的主要不确定性因素.在对半导体制造前后段制程进行界定和分析的基础上,分别对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 鼓-缓冲器-绳子(DBR)理论中瓶颈资源的生产往往采用启发式法则(如最早交货时间法则,EDD)进行安排,得到的排程结果一般不是最优解.为克服基于启发式法则进行瓶颈安排存在的不足,在考虑晶圆生...
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230. 互连铝通孔电迁移特征及其可靠性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 研究了超大规模集成电路铝互连系统中铝通孔的电迁移失效机理及其可靠性寿命评价技术.试验采用CMOS和BiCMOS两种工艺各3组的铝通孔样品,分别在三个温度、恒定电流的加速条件下试验,以通孔开路...
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231. 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个...
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232. SiN介质薄膜内应力的实验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 研究了低压化学气相淀积Sin(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对...
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233. 水射流技术在集成电路制造工艺中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 半导体器件制造过程中通常采用锯片来切割芯片和封装元件.锯片一般只能切割直线轮廓,对于曲线轮廓或复合层材料,锯片切割会遇到很大的问题.水射流技术作为一种新的加工工艺,被成功引入到半导体制造行业...
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234. 芯片粘接空洞对功率器件散热特性的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 芯片粘结层的空洞是造成功率半导体芯片由于散热不良而失效的主要原因.运用有限元法对芯片封装结构进行了热学模拟分析,研究了粘结层材料、粘结层厚度、粘结层空洞的面积、空洞的位置对芯片温度分布以及芯...
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235. 优化GaN基发光二极管的电极刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86.的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得.对于n+...
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237. 32位高速浮点乘法器优化设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 设计了一种用于频率为200 MHz的32位浮点数字信号处理器(DSP)中的高速乘法器.采用修正Booth算法与Wallace压缩树结合结构完成Carry Sum形式的部分积压缩,再由超前进位...
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238. S波段30 W微波脉冲功率放大器模块设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程.利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装的金属密封管壳中,前两级芯片采用GaAsMMIC电路,第三级采用Ga...
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239. 低功耗高抗噪性差分基准电压源的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 提出了一种新颖的差分放大器拓扑结构,适用于单片集成模数转换器中的差分电压基准源.该结构经过电压、电流两级放大,实现了高开环增益和大电流驱动能力.本设计在德国XFAB公司的0.35 μm CM...
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240. 应用于∑△ ADC的带隙基准源的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 基于标准n阱0.6μm CMOS工艺条件,设计了一种用于高阶∑△ADC的基准源结构.该电路在传统带隙基准电路的基础上,采用三个纵向晶体管串联的形式减小运放输入失调电压对基准电压的影响同时采用...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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