半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 张彬 杨广华 毛陆虹 郭维廉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  829-832
    摘要: 集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题.制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈.硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长.所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引...
  • 作者: 王华 赵义坤
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  833-835
    摘要: 越来越多的国家开始限制铅在人们生活中的使用.对于电气设备,无铅焊接已经成为产品出口欧盟等国家的先决条件,我国也制定了相应的应对措施.就此对无铅焊接的由来,以及在我国的实施情况进行了阐述,对无...
  • 作者: 钮轶君 钱省三 黄旭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  836-839
    摘要: 对半导体行业供应链结构的现状进行了分析,对处在供应链上的每个环节进行了描述,并分析了影响整个半导体行业供应链运行效率的主要不确定性因素.在对半导体制造前后段制程进行界定和分析的基础上,分别对...
  • 作者: 郭永辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  840-842,846
    摘要: 鼓-缓冲器-绳子(DBR)理论中瓶颈资源的生产往往采用启发式法则(如最早交货时间法则,EDD)进行安排,得到的排程结果一般不是最优解.为克服基于启发式法则进行瓶颈安排存在的不足,在考虑晶圆生...
  • 作者: 周继承 杨春晖 江清明 章晓文
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  843-846
    摘要: 研究了超大规模集成电路铝互连系统中铝通孔的电迁移失效机理及其可靠性寿命评价技术.试验采用CMOS和BiCMOS两种工艺各3组的铝通孔样品,分别在三个温度、恒定电流的加速条件下试验,以通孔开路...
  • 作者: 汪辉 罗仕洲 肖方
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  847-850
    摘要: 在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个...
  • 作者: 孙俊峰 石霞 顾晓春
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  851-853,870
    摘要: 研究了低压化学气相淀积Sin(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对...
  • 作者: 邱刚 雷玉勇 马超
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  854-858
    摘要: 半导体器件制造过程中通常采用锯片来切割芯片和封装元件.锯片一般只能切割直线轮廓,对于曲线轮廓或复合层材料,锯片切割会遇到很大的问题.水射流技术作为一种新的加工工艺,被成功引入到半导体制造行业...
  • 作者: 孙博 李健 谢劲松 陈颖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  859-862
    摘要: 芯片粘结层的空洞是造成功率半导体芯片由于散热不良而失效的主要原因.运用有限元法对芯片封装结构进行了热学模拟分析,研究了粘结层材料、粘结层厚度、粘结层空洞的面积、空洞的位置对芯片温度分布以及芯...
  • 作者: 刘宝林 尹以安 张保平 毛明华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  863-866
    摘要: 针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二...
  • 作者: 李亮 潘宏菽 田爱华 赵彤 陈昊 霍玉柱
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  867-870
    摘要: 介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86.的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得.对于n+...
  • 作者: 于宗光 周德金 孙锋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  871-874
    摘要: 设计了一种用于频率为200 MHz的32位浮点数字信号处理器(DSP)中的高速乘法器.采用修正Booth算法与Wallace压缩树结合结构完成Carry Sum形式的部分积压缩,再由超前进位...
  • 作者: 关富民 赵夕彬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  875-877
    摘要: 介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程.利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装的金属密封管壳中,前两级芯片采用GaAsMMIC电路,第三级采用Ga...
  • 作者: 应建华 王洁 陈嘉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  878-881
    摘要: 提出了一种新颖的差分放大器拓扑结构,适用于单片集成模数转换器中的差分电压基准源.该结构经过电压、电流两级放大,实现了高开环增益和大电流驱动能力.本设计在德国XFAB公司的0.35 μm CM...
  • 作者: 叶英 曾健平 朱军 马勋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  882-885
    摘要: 基于标准n阱0.6μm CMOS工艺条件,设计了一种用于高阶∑△ADC的基准源结构.该电路在传统带隙基准电路的基础上,采用三个纵向晶体管串联的形式减小运放输入失调电压对基准电压的影响同时采用...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  885
    摘要:
  • 作者: 刘红侠 吴洪江 廖斌 苑少娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  886-890
    摘要: 在研究读写器和射频标签通信过程的基础上,结合EPC C1G2协议以及ISO/IEC18000-6协议,采用VHDL语言设计出一种应用于超高频段的射频标签数字电路.对电路的系统结构和模块具体实...
  • 作者: 李博 王继红 魏廷存
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  891-893,903
    摘要: 针对单片集成TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的特点,提出了一种将内建自测试与机台测试相结合的SRAM测试方案.测试向量由机台提供,测试过程中启动内部自测试电路.在SRAM的读出寄存器和...
  • 作者: 万超 申敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  894-898
    摘要: 在搭建层次化验证平台时,产生器是一个重要的模块,它能否根据需要产生随机向量直接关系到测试平台的可靠性.传统的激励产生方法由于是用人工生成的,效率低且性能也不令人满意,已经不能满足当前大规模芯...
  • 作者: 伍冯洁 吴黎明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  899-903
    摘要: IC晶片制造过程存在多种致命缺陷,致使芯片失效,导致成品率下降.冗余物缺陷是影响IC晶片成品率下降的重要原因,主要造成电路短路错误.针对冗余物缺陷对版图的影响,提出了一种简单可行的缺陷视觉检...
  • 作者: 庄钊文 张亮 李建成
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  904-908
    摘要: 软硬件协同验证是SOC的核心技术.通过分析SOC验证方法与软硬件协同验证技术,提出C与平台相合的协同验证方法.该方法是在系统级用SystemC确定SOC系统的体系框架、存储量大小、接口IO与...
  • 作者: 刘慧 张利宁 潘志峰 袁一方
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  909-912
    摘要: 多孔氧化铝由于具有纳米级的孔径、尺寸可调等独特的优点,成为合成纳米材料的一种常用模板.以多孔氧化铝为模板,制备出了纳米量级的纤维、纳米棒、金属管、半导体等新型材料.制备出了优良的多孔氧化铝有...
  • 作者: 刘俊 石云波 马宗敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  913-917
    摘要: 提出了一种单质量块单轴集成加速度计陀螺仪(AG)结构,并利用力学、电磁学等原理对该结构进行了结构的设计与分析;同时运用计算机辅助软件对其进行了建模和仿真;依据所提指标,确定了加速度计陀螺仪各...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  918-919
    摘要:
  • 作者: 张伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  920
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年10期
    页码:  921-922
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
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