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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 1. ECLD激光器三种模型的调谐特性比较
    作者： 潘炜 黄立平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  645-648
    摘要： 为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的阈值特性,在以往研究双稳态的原简化模型的基础上,将H参量引入到载流子密度中,建立了H参量简化模型和H参量模型,并得到了计算调谐范围的解析式;采...
  • 2. 基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展
    作者： 于书文 刘爱民 刘维峰 方思麟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  649-653
    摘要： 部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池.简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、I...
  • 3. GaAs基AIGaInP LED的研究和进展
    作者： 彭晓磊 战瑛 李晓云 牛萍娟 王小丽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  654-657,669
    摘要： 探讨了GaAs基AIGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计.着重...
  • 4. 影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究
    作者： 刘玉岭 宗思邈 张伟 李咸珍 江焱
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  658-661,673
    摘要： 介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数.在抛光液中加入了FA/...
  • 5. ULSI多层Cu布线CMP中磨料的研究
    作者： 侯丽辉 刘玉岭 孙薇 张伟 时慧玲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  662-665
    摘要： 超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素.分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO...
  • 6. 抛光液组成对LiNbO3 CMP去除速率的影响
    作者： 侯丽辉 刘玉岭 孙薇 张伟 时慧玲 王胜利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  666-669
    摘要： 影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等.主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料+碱+活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理...
  • 7. CMP终点监测装置的设计
    作者： 周国安 柳滨 王姝媛 王学军 贺敬良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  670-673
    摘要： 对CMP工艺过程中的一种终点监测技术进行论述,分析了国外某公司抛光机的电机电流变化监测技术,在此基础上,设计了一种高精度的电流监测和电流电压转换电路,电流监测基于LTC6102高精度电流监测...
  • 8. Cu-CMP后的坑状缺陷分析与解决方案
    作者： 周华 程秀兰 陈肖科
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  674-676
    摘要： 随着半导体技术的不断发展,集成电路的互连线尺寸不断减小,Cu-CMP已经成为深亚微米工艺中的重要技术.分析了由于研磨头固定环上的沟槽堵塞而造成的Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的产生机理,使用...
  • 9. X波段GaN HEMT的研制
    作者： 冯志宏 冯震 宋建博 李静强 杨克武 王勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  677-679
    摘要： 采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250 V/10μA.通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值...
  • 10. 尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
    作者： 刘佩林 陈开宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  680-682
    摘要： 介绍了沟槽MOSFET(TMOS)的器件特性.为获得更小的尺Rdson(导通电阻)·A(面积)值,讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4 μm时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,...
  • 11. Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响
    作者： 何乐年 徐碧野 王煊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  683-687
    摘要： 采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制.综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及...
  • 12. 退火温度对CoTiO2微结构和磁特性的影响
    作者： 侯登录 曲蛟 许佳玲 贾利云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  688-690
    摘要： 为了研究在稀释磁性半导体CoTiO2薄膜中不同退火温度对薄膜结构和磁性的影响,通过磁控溅射方法和原位退火工艺制备了CoTiO2薄膜样品.然后利用扫描探针显微镜以及振动样品磁强计对所制得的薄膜...
  • 13. Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响
    作者： 乔治 冀建利 刘彩池 张彦立 李同锴
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  691-693
    摘要： 将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(...
  • 14. TiN薄膜表面形貌的分形表征及其演化特征
    作者： 赵海阔 雒向东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  694-697
    摘要： 用反应磁控溅射方法在Si基片上沉积TiN膜,用原子力显微镜(ARM)观察薄膜表面形貌.比较研究了尺码法、盒计数法、功率谱密度法与高度-高度相关函数法计算的表面形貌分形维数Df结果,并研究了T...
  • 15. 0.15 μm低压CMOS工艺技术改进
    作者： 孙希乐 汪辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  698-700
    摘要： 0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程.该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计...
  • 16. ZnO/(Ni)薄膜的制备与发光性能的研究
    作者： 刘晓艳 吴再华 高飞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  701-704
    摘要： 采用直流磁控溅射法制备了ZnO/(Ni)薄膜.研究了氧分压及Ni掺杂对ZnO薄膜的结构、光致发光特性及薄膜中的几种本征缺陷如氧空位(VO)、锌空位(VZn)、氧位锌(OZn)、锌位氧(ZnO...
  • 17. ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究
    作者： 刘红兵 李用兵 杨洁 王长河 赵彤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  705-710
    摘要： 主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理.实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、E...
  • 18. 基于ADAMS仿真点浆装置的设计开发
    作者： 吴小洪 姜永军 曹占伦 林晓新 袁喜林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  711-713
    摘要： LED全自动粘片机是一个光、机、电一体化的高精密设备,点浆装置是LED全自动粘片机运行的关键部件之一,其功能是实现在LED引线框架上点滴银浆,完成粘结芯片的任务,使其满足高定位精度和重复精度...
  • 19. 环氧树脂式探针卡消耗模拟模型
    作者： 严飞 黄其煜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  714-717
    摘要： 探针卡是芯片测试中最重要、最昂贵的消耗品.在产品品种多、探针卡数目较大且各产品需求变化较大的情况下,不成功的管理很容易导致探针卡需求紧缺或者投资过剩,精确地控制探针卡的数目和消耗可以保证生产...
  • 20. 半导体激光器封装中热应力和变形的分析
    作者： 王辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  718-720
    摘要： 为了解决半导体激光器封装的热应力和变形问题,利用有限元软件ANSYS对SnPb、In、AuSn三种焊料焊接激光器管芯的情况分别进行了模拟,得到了相应的热应力大小和变形情况,分析了焊料和热沉对...
  • 21. 用于CDR电路的相位插值选择电路设计
    作者： 曾泽沧 蒋林 邓军勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  721-725
    摘要： 时钟数据恢复电路是高速多通道串行收发系统中接收端的关键电路,其性能的优劣直接影响了整个系统的功能.描述了双环时钟数据恢复电路利用相位正交的参考时钟进行工作的原理,分析了传统的正交时钟产生方案...
  • 22. 低功耗高增益CMOS LNA的设计
    作者： 伊廷荣 成立 植万江 王玲 范汉华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  726-729
    摘要： 设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA).所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50 Ω的输入阻抗匹配.文中设计的放大器采用TSMC0.18 μmCMOS工艺...
  • 23. 基于高性能数字芯片的多协议可编程接口设计
    作者： 景为平 杨华 赖宗声 陈子晏 陈磊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  730-733
    摘要： 设计并制作了一种基于SMIC18混合信号工艺,可用于高性能数字芯片中的多协议、可编程输入接口电路.Cadence SPECTRE仿真及测试结果表明,电路可以在多种不同的JEDEC标准协议下工...
  • 24. DDS+PLL宽带频率合成器的设计与实现
    作者： 宋庆华 徐正芳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  734-736
    摘要： 采用DDS+PLL技术实现频率合成器,其特点是宽频带(3～6 CHz)、小步进(1 kHz)、低相位噪声,频率捷变.对其进行了理论分析,描述了宽频带和小步进的实现方式,相位噪声以及频率捷变的...
  • 25. Magma扩大中国运营规模,并积极开展大学合作计划
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  737
    摘要：
  • 26. 产业新闻1
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年8期
    页码:  738
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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(/年)
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