半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  897-904
    摘要: 固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的“能带工程”(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及...
  • 作者: 何仕均 刘道广 周伟松 胡冬青 许军 郑君
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  905-909,928
    摘要: 借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器( Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4V的p沟VDMO...
  • 作者: 吴韵秋 唐宗熙 张彪 苏坪 赵世巍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  910-914
    摘要: 设计了一种基于基片集成波导谐振器的X波段压控振荡器.首先分析了串联反馈式振荡器以及基片集成波导谐振器的理论,然后在高频电磁仿真软件ADS中进行仿真和设计,并通过将变容管合理地引入谐振器,实现...
  • 作者: 孙雷 杨磊 王文军 赵润
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  915-919
    摘要: 针对半导体光源不易均匀散射到一定的角度范围或均匀照射到确定平面上的问题,本文利用非成像光学方法设计了一种基于微透镜阵列的均匀散射透镜.该散射透镜由相同面元的微透镜周期性密排而成,微透镜单元为...
  • 作者: 任忠祥 夏伟 张新 徐现刚 房玉锁 李沛旭 汤庆敏 王翎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  920-922
    摘要: 通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件.利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制...
  • 作者: 刘利宾 刘玉岭 杨立兵 林娜娜 王胜利
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  923-928
    摘要: 针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力...
  • 作者: 彭志农 李亮 李佳 李岚 王勇 蔡树军 默江辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  929-932,939
    摘要: 介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术.针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对A1记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术.研究了栅长...
  • 作者: 刘怡俊 胡选子 陈俞强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  933-939
    摘要: 随着Si技术的持续发展,片上系统(SoC)的规模和复杂度的增长给传统的片上互连,如总线结构,带来了前所未有的挑战.片上网络[1-2]是片上系统的一种新设计方法,是目前公认应对这种挑战较为有效...
  • 作者: 余柳玉 李玲玮 毛传武 赵柏树
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  940-943
    摘要: 将正负Wilson电流镜组合在一起,读取由运算放大器构成的电压跟随器的电源引线电流,得到高精度的压控电流源.通过仿真手段研究互补Wilson电流镜组合的电流跟随特性;用通用集成运算放大器和分...
  • 作者: 胡晓宇 陈铖颖 黑勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  944-947,967
    摘要: 提出了一种用于水听器电压检测的模拟前端电路,包括低噪声低失调斩波运算放大器,跨导电容(gm-C)低通滤波器,增益放大器三部分主体电路;低噪声低失调斩波运算放大器用于提取水听器前端传感器输出的...
  • 作者: 刘乃瑞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  948-952,967
    摘要: 设计了一款用于MEMS麦克风的模数转换接口电路.该电路包含一个前置放大器和一个四阶Delta-Sigma调制器.前置放大器包括一个pMOS输入的源级跟随器和一个仪表放大器.放大器设计中采用了...
  • 作者: 俞慧月 张辉 徐壮 林霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  953-956
    摘要: 基于整数分频锁相环结构实现的时钟发生器,该时钟发生器采用低功耗、低抖动技术,在SMIC 65 nm CMOS工艺上实现.电路使用1.2V单一电源电压,并在片上集成了环路滤波器.其中,振荡器为...
  • 作者: 吴国安 黄小晖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  957-961
    摘要: 提出了一种阻带具有多个传输零点的带通滤波器设计方法,基于低温共烧陶瓷( LTCC)技术实现,可满足移动通信用滤波器小型化、高性能的要求.在电路设计中,通过改进滤波器谐振器结构,分别在阻带的低...
  • 作者: 刘进 张希军 武占成 王振兴
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  962-967
    摘要: 瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全.选取常见的TVS器件PESD5V0UIBA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件...
  • 作者: 王小妮 魏桂英 齐臣杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  968-971
    摘要: 对旋转式发光二极管显示屏的时空分割原理和总体设计方案做了简单的阐述,重点介绍了用FPGA设计的旋转式显示屏的电子线路及显示部分中各部分的功能和工作原理,以及将视频信号转换为发光二极管显示的过...
  • 作者: 李朝林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  972-975
    摘要: 在无铅BGA封装工艺过程中,通过不同组分的BGA焊球合金与焊膏合金组合焊接、焊膏助焊剂活性剂不同配比及其不同再流焊接条件等实验,对焊料合金和助焊剂配比、再流焊接峰值温度、再流保温时间等参数变...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年12期
    页码:  976-980
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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