半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 李国强 管云芳 高芳亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  721-728
    摘要: 通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN...
  • 作者: 王庆禄 王志刚 王莉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  729-734
    摘要: 在半导体量子阱器件中,激子发光占有非常重要的地位.阐述了半导体材料中激子扩散动力学研究进展.首先在介绍半导体量子阱中激子的新奇发光现象——双发光环的基础上,阐明了双环图案形成的物理机制;其次...
  • 作者: 张锋 杨红官 陈铖颖 马文龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  735-739
    摘要: 针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构.该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响...
  • 作者: 乔克 唐宗熙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  740-744
    摘要: 提出了一种改进型的Doherty功率放大器.根据输入功率的大小不同,Doherty功率放大器的主功率放大器漏极采用两个不同的电压来供电,进而来提高Doherty功率放大器的效率.实现方法是在...
  • 作者: 吴郁 周新田 张惠惠 穆辛 胡冬青 贾云鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  745-749,775
    摘要: 针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明...
  • 作者: 何彦刚 刘玉岭 王辰伟 蔡婷 陈蕊 高娇娇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  750-754
    摘要: 阻挡层的平坦化直接决定了多层铜布线化学机械平坦化结果的好坏和器件的成品率,而阻挡层抛光液作为阻挡层平坦化的重要组成部分,其作用至关重要,研发了一种高性能的碱性阻挡层抛光液.采用在300 mm...
  • 作者: 万文艳 俞跃辉 徐大伟 曹铎 程新红 郑理
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  755-759
    摘要: 采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜.为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜...
  • 作者: 周星 王建军 陈军宁 高珊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  760-764
    摘要: 阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点.基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素.采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要...
  • 作者: 肖涛 范焕新 邓生平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  765-769
    摘要: 采用浸渍法制备了Zn掺杂的TiO2纳米管,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射图谱(XRD)和紫外-可见光谱(UV-Vis)等对TiO2纳米管薄膜的结构与性能进行了表征,研究了Zn2浓度...
  • 作者: 于大全 庞诚 王志
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  770-775
    摘要: 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素.基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总...
  • 作者: 曾传滨 李松 罗家俊 韩郑生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  776-780
    摘要: 为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电(ESD)防护能力的仿真方法,用于评估和控制ESD电流通路上的寄生...
  • 作者: 王立 秋艳鹏 钟强华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  781-785
    摘要: 6T静态随机存储器(SRAM)在新的集成电路技术节点被广泛用于制造工艺的研发.随着集成电路制造工艺技术节点微缩进入100 nm线宽以下,SRAM存储单元的主流设计使用了新的布局以降低光刻制造...
  • 作者: 吴峰霞 申俊亮 蔡斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  786-791
    摘要: 对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺...
  • 作者: 张旻澍 李世玮 谢安
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  792-796
    摘要: 基于具体案例分析,介绍了超声波无损检测技术在半导体工艺中的应用.采用回声法和穿透法检测了封装体件内部塑封界面的裂纹、封装体底部填充胶的孔洞以及硅通孔的成型质量.通过声波成像原理和实例分析的比...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  797-799
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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