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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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  • 1. 高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究
    作者： 单智发 张永 林志伟 王向武 蔡建九 陈凯轩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  241-247
    摘要： 在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究.指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三...
  • 2. 场序彩色硅基液晶微显示驱动电路设计
    作者： 杜寰 林斌 罗家俊 赵博华 韩郑生 马飞 黄苒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  248-253,267
    摘要： 基于0.35 μm二层多晶硅四层金属(2P4M) 3.3 V/5 V双电源电压CMOS混合信号工艺,设计了能应用到投影显示的一种分辨率为800×600硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路芯片....
  • 3. 2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片
    作者： 刘志军 吴洪江 崔玉兴 陈凤霞 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  254-258
    摘要： 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成.数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点.2～12 GHz6 ...
  • 4. SiGe HBT高增益宽带低噪声放大器设计
    作者： 徐永祥 李国军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  259-262,296
    摘要： 基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA).该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声...
  • 5. 低相噪抗振动温补晶振的研制
    作者： 孙敏 王占奎 陈中平 黎敏强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  263-267
    摘要： 为满足通信系统对振动环境下相位噪声提出的更为严格的要求,提出了一种低相噪、抗振动温补晶振的设计方法.分析了影响温补晶振静态相位噪声的因素,通过ADS仿真对电路参数进行优化,实现了低的静态相位...
  • 6. 单材料双功函数栅MOSFET的电容模型
    作者： 代月花 周茂秀 张伟 徐太龙 赵强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  268-272
    摘要： 基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG) MOSFET的电容模型,分别给出了SM...
  • 7. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  272,305,317-320,前插1-前插2
    摘要：
  • 8. 两象限零电压开关DC-DC的设计与实现
    作者： 刘迎迎 吴建忠 张创
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  273-278,282
    摘要： 传统的DC-DC转换器由电感、电容构成,通常电感和电容的面积很大,而且在开关导通和关断时的损耗严重.文章分析了两象限零电压开关准谐振(ZVS-QRC) DC-DC转换器的原理,使用罗氏谐振器...
  • 9. 阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管
    作者： 冯志红 宋旭波 张士祖 张立森 梁士雄 王俊龙 蔡树军 邢东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  279-282
    摘要： 研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术.该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容.利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹G...
  • 10. Si衬底LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术
    作者： 刘军林 江风益 熊传兵 王光绪 王立
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  283-287
    摘要： Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触性能,避免在p-GaN上同时形成两种欧姆接触引入的电流分流...
  • 11. 全自动荧光粉涂覆工艺研究
    作者： 冷兴龙 刘俊标 刘杰 刘键 吴茹菲 屈芙蓉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  288-291
    摘要： 自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统.针对涂覆工艺,通过扫描电子显微镜研究真空搅拌除泡处理时间对涂覆质量的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层中有直径达140μm的气泡,且涂...
  • 12. Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究
    作者： 丛宏林 包琦龙 张昊翔 徐小明 江忠永 罗军 赵超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  292-296
    摘要： 介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量A1N成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响.分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对A1N层的表面形貌和...
  • 13. 硅基不同晶面上的空穴迁移率研究
    作者： 刘云飞 尹海洲 张亚楼 蒋葳 许静
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  297-301
    摘要： 近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构.而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100...
  • 14. 高温氩退火对提高Si片质量的研究
    作者： 冯泉林 李宗峰 李青保 王磊 盛方毓 赵而敬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  302-305
    摘要： 首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响.样品在1 200 c℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察.试验表明Si片经过1h退...
  • 15. 基于IC封装的Au凸点剪切断丝模拟及实验
    作者： 刘曰涛 孙立宁 魏修亭
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  306-311
    摘要： 为提高IC封装过程中钉头Au凸点制备效率,需对Au凸点的形成机理进行分析,得出影响Au凸点质量的各种工艺参数.采用有限元仿真与实验相结合的方法,针对不同的劈刀剪切速度模拟剪切断丝过程,并在实...
  • 16. 微波低噪声封装器件噪声参数测量技术
    作者： 刘强 吴爱华 梁法国 翟玉卫 郑延秋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2013年4期
    页码:  312-316
    摘要： 相对于噪声系数,噪声参数更加全面地反映了半导体器件噪声特性.介绍了微波低噪声器件噪声参数产生机理及测量原理,分析了噪声参数测量方法.针对低噪声封装器件的特点,自制了测试夹具以及表征测试夹具的...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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