Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究

• 作者: 丛宏林 包琦龙 张昊翔 徐小明 江忠永 罗军 赵超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 氮化铝 预铺铝 硅衬底 生长模型
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 292-296
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.04.011

摘要

介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量A1N成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响.分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对A1N层的表面形貌和晶格质量进行表征.实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进A1N成核层生长模式由3D向2D的转变.有效提高了A1N成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量.结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和A1N生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗军	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	51	222	8.0	12.0
2	丛宏林		4	5	1.0	2.0
3	江忠永		4	5	1.0	2.0
4	包琦龙		2	1	1.0	1.0
8	徐小明		3	2	1.0	1.0
9	张昊翔		3	2	1.0	1.0