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半导体技术2015年第11期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500～ 60...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 空间近日等强辐照造成的高温严重影响光伏电池的转化效率,同时造成辐射能量的浪费.以单晶Si光伏电池和Bi2Te3热电电池为基本单元,构建Si-Bi2 Te3光热耦合电源器件模型.采用有限元分析...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 随着氮(N)面GaN材料生长技术的发展,基于N面GaN衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义.研究了具有高发光功率的N面GaN基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型.采用有效截止频率厂T.e.来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 发光二极管(LED)作为新一代光源,得到广泛应用.然而在工作过程中,大部分的电能会转变为热能,使LED的结温升高,可靠性降低.为了使LED芯片产生的热量能够及时有效地散发出去,通常采用翅片散...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 基于开关器件的基本工作原理和设计方法,设计了一款GaN大功率Ku波段单刀双掷(SPDT)开关,并着重讨论了GaN大功率开关的耐功率能力.经制作得到不同栅指数、不同单指栅宽的GaN开关器件,测...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了AuSn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等.焊料在烧结后形成ξ相Au5Sn和δ相AuSn两种金属间化合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(SiC)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响.分析了感应线圈位置变化对晶体表面径向温度、晶体内部轴向温度以及...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位.详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性.主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 针对高频射频识别(RFID)晶圆在中测(CP)阶段单通道串行测试效率低下的问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的多通道并行测试系统以提高测试效率.鉴于RFID晶圆上没有集成天线,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要： 码密度直方图法是模数转换器(ADC)静态参数测量的主要方法.该方法要求测试激励幅度略大于被测ADC的输入范围.测试激励幅度是影响测量结果精度的决定因素,受测量仪器精度的限制.针对如何定义测试...
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15. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年11期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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