半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 刘旭 吕延军 王龙飞 赵银燕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  161-166,226
    摘要: 近年来由于突出的可延展性、适应性和便携性,可延展柔性电子已成为电子产业界和学术界的研究热点.通过硅等无机脆性材料与柔软的弹性基体的精巧结合,可使电子器件保持优异电学性能的同时具有柔性和可延展...
  • 作者: 乔树山 秋攀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  167-173,238
    摘要: 综述了片上系统(SoC)低功耗多电压设计方法的研究进展.介绍了低功耗多电压设计方法的研究背景和国内外的研究现状.重点探讨了低电压、多电源电压、电源门控、动态电压频率缩减(DVFS)和自适应电...
  • 作者: 居水荣 朱樟明 魏天尧
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  174-181
    摘要: 采用逐次逼近方式设计了一个12 bit的超低功耗模数转换器(ADC).为减小整个ADC的芯片面积、功耗和误差,提高有效位数(ENOB),在整个ADC的设计过程中采用了一种改进的分段电容数模转...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  181,239-240
    摘要:
  • 作者: 刘江华 江金光 许亚兰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  182-187,204
    摘要: 对基于注入锁定的正交压控振荡器(QVCO)电路进行了研究和分析,设计了一个低相位噪声、低相位误差的QVCO电路,该电路由两个电感电容压控振荡器(LC VCO)在正交相位进行超谐波耦合,通过一...
  • 作者: 吕俊盛 田泽 邵刚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  188-194,221
    摘要: 提出了一种应用于高速串行链路中的基于二阶预加重和阻抗校正技术的6 Gbit/s低功耗低抖动电压模(VM)发送器.在综合分析阻抗、供电电流和输出驱动器预加重等因素影响的基础上,采用了多种技术来...
  • 作者: 吴洪江 赵宇 陈长友
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  195-200
    摘要: 基于GaAs肖特基二极管工艺,研制了一款无源毫米波二倍频器单片微波集成电路(MMIC).该电路的拓扑结构包含并联二极管对,输入巴伦和输入、输出匹配电路,其中输入巴伦为螺旋型Marchand巴...
  • 作者: 刘桢 娄辰 张志国 张蓓蓓 银军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  201-204
    摘要: 基于GaN微波功率器件工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.采用二项式多节阻抗匹配变换器实现了宽带功率分配器及合成器...
  • 作者: 张红伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  205-210
    摘要: 氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点.研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案.结果表明,原位水...
  • 作者: 刘恩海 刘玉岭 林凯 樊世燕 石陆魁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  211-216
    摘要: 采用响应曲面法(RSM)和人工神经网络(ANN)分别对化学机械抛光(CMP)碱性铜抛光液的主要成分(SiO2磨料、FA/O型螯合剂、H2O2氧化剂)进行优化研究.采用RSM优化,当抛光液中磨...
  • 作者: 全思 刘盼芝 张林 徐小波 谷文萍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  217-221
    摘要: 采用归一化能量1 MeV的中子脉冲反应堆对AlGaN/GaN异质结材料进行了辐照研究.实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,...
  • 作者: 夏明颖 崔东辉 杨云童 聂丛伟 贾默然 陈军波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  222-226
    摘要: 针对SiC衬底的白光LED技术研究和智能化半导体照明技术发展的需求,基于Si材料的功能特性和物理特性,研究了将Si作为SiC基LED封装载体的相关技术.采用MEMS的加工工艺,设计了精确尺寸...
  • 作者: 张冠 简维廷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  227-233
    摘要: 芯片小型化和超薄化的趋势促使晶圆级封装(WLP)技术变得更为普及.由于金属及低介电材料叠层制造的芯片后段(BEOL)薄膜层间黏合特性对WLP的切割良率以及产品出厂后的可靠性有很大的影响.提出...
  • 作者: 吕毓达 张小玲 谢雪松
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年3期
    页码:  234-238
    摘要: 现在系统级芯片(SoC)系统集成度和复杂度不断提高,验证环节消耗时间占用了芯片研发时间的70%,芯片验证已经成为芯片研发中最关键的环节.目前业界验证方法大多有覆盖率低和通用性差等缺点,基于上...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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2. 中国科技论文统计用刊
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