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半导体技术2018年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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121. 一种新型源电极的DMDG隧穿场效应晶体管刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研究了一种新型源电极的双物质双栅隧穿场效应晶体管(NSE-DMDG-TFET),该器件结合了新型源电极和双物质栅的优点,其中新型源电极由传统的欧姆接触电极和高功函数浮空肖特基接触电极构成,该...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研发了一种FA/O阻挡层抛光液,主要成分包含硅溶胶、螯合剂和FA/O非离子型表面活性剂.使用该阻挡层抛光液进行了铜、阻挡层(Ta)和介质层(TEOS-SiO2)的去除速率选择性实验,实验表明...
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123. 三维硅基电容器W薄膜电极特性及影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 设计了一种三维(3D)硅基电容器,采用原子层沉积(ALD)技术制备了钨(W)薄膜电极.通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电学分析仪对薄膜进行表征...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研究了Nd∶BiFeO3(NBFO)/Nb∶SrTiO3(NSTO)异质结构的电阻变换效应并讨论其铁电阻变换机理.利用脉冲激光沉积(PLD)法在NSTO单晶衬底上生长了NBFO薄膜,并构筑了...
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125. 特高压晶闸管的焊接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术.采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与钼片牢固地焊接在一起,形成良...
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126. 扇出型封装结构可靠性试验方法及验证刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 基于可靠性试验所用的菊花链测试结构,对所设计的扇出型封装结构进行了完整的菊花链芯片制造及后道组装工艺制造,并对不同批次、不同工艺参数条件下的封装样品进行电学测试表征、可靠性测试和失效样品分析...
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127. 用于双陀螺组合的DC/DC模块失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 针对应用在双陀螺组合中的DC/DC模块输入级VDMOS内引线熔断、输出级整流二极管发生短路的问题进行了失效分析.通过分析可知,DC/DC模块失效是由于其输出端整流二极管击穿短路,导致输入端电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 设计了一种提高固定开关频率DC-DC转换器负载瞬态速度的电路.该电路通过在负载跳变过程中改变开关频率的方式来提高负载瞬态响应速度.在负载电流瞬态变化时,DC-DC输出电压的跳变量通过反馈电压...
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129. 提高安全度量的可配置电流环形振荡器PUF刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 针对目前物理不可克隆函数(PUF)电路的唯一性等安全度量精度不高和功耗过大的问题,通过对PUF的安全度量、可配置环形振荡器物理不可克隆函数(CRO PUF)和电流镜的电路研究,改进了一种基于...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散.针对此问题,提出了一种采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 采用不同波长的蓝光发光二极管(LED)芯片,制作了色坐标相同和人眼视觉效果相同的板上芯片(COB)白光LED样品,并分析了人眼视觉差异性产生的原因.研究结果表明,利用不同波长蓝光LED芯片制...
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132. 焊接式IGBT模块结构设计与性能分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 设计了一款半桥结构的焊接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块.模块内部电路整体布局设计为IGBT的正负母线端子在直接覆铜(DBC)板的一端,DBC板的另一端为IGBT的交流输出端,两块DBC...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡.搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响.基于控制变量法的...
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134. 阻挡层CMP过程中划伤缺陷的控制刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 研究了阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和过滤器对划伤缺陷的影响.分别采用含不同体积分数JFC的抛光液和三种抛光液循环系统对300 mm铜布线图形片进行阻挡层抛光....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一.使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 针对化学机械抛光(CMP)过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液.分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 反铁电薄膜因其利用反铁电-铁电相变实现高效能量存储(即高储能密度和高储能效率)成为目前国际上研究热点,然而对其储能行为随温度变化规律研究甚少.系统研究了锆钛酸铅基反铁电薄膜(Pb0.97 L...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论.用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3 (NSTO) (001)单晶衬底上制备了P...
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139. 一种集成稳压器的失效机理分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 对一种集成稳压器的失效问题进行了研究并分析了失效机理.通过内部目检、微光分析、扫描电镜及能谱分析,定位了集成稳压器的失效点.采用仿真和实验分别对稳压器的失效原因进行了分析和验证,搭建了输出端...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年11期页码:摘要： 目前模拟开关的漏电流已达到皮安级,而传统的模拟集成电路测试系统的最小测量精度一般为纳安级,无法满足测试要求.研究了基于宏邦T861数模混合集成电路测试系统的皮安级漏电流测试方法.以ADG43...
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141. 低功耗无线物联网终端的电源管理系统设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 设计了一种用于低功耗2.4 GHz无线物联网(IOT)芯片的电源管理系统,用于极低功耗物联网,如智能家居、工业控制、农业自动化等领域.该芯片在高功率和低功率两种模式下分别采用了不同的低压差线...
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142. 一种带有二阶温度补偿的带隙基准电压源刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 设计了一种带有二阶温度补偿的高精度带隙基准电压源电路.相比传统带隙基准电路,所设计的电路不仅进行了一阶温度补偿,在高温阶段增加了与一阶温度补偿基准电压的温度系数呈负相关的曲率补偿电流,通过电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LN...
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144. 考虑热效应的IGBT热网络模型建模方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 功率器件结温预测对于器件的寿命评价具有重要意义,而材料的热效应是影响结温预测结果的关键因素之一.基于此,提出了一种考虑热效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热网络模型建模方法,可提高IGBT...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿.为了提高AlGaN/Ga...
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146. 电容式硅基MEMS传声器的结构优化设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 微电子机械系统(MEMS)传声器是一种将音频信号转换为电信号的微型传感器.为了得到较高灵敏度和信噪比(SNR)的传声器,同时又能保证其可靠性,设计并制备了一种结构优化的电容式硅基MEMS传声...
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147. GaN单晶片的表面加工工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究.在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同粒径的磨料对GaN研磨时间的影响.实验结果表明,采用树脂铜盘...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200 mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素.采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自...
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149. 考虑性能退化的IGBT模块可靠性度量模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 提出了一种考虑性能退化因素的IGBT模块可靠性度量模型,该模型以广义应力-强度干涉模型为基础,同时考虑了应力和强度间的相关性以及使用过程中强度的退化性问题.分析了IGBT模块失效原因和失效类...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的“陷阱”,会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻.对...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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