半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 刘宝宏 樊棠怀 陈瑛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  161-170
    摘要: 射频/微波能量收集系统以可持续、环保等优点在无线传感器网络、可穿戴设备等领域具有广泛应用前景.对近年来射频/微波能量收集系统的整流电路的研究进展进行了概述.分析并讨论了整流电路的技术指标和电...
  • 作者: 周维瀚 张文杰 朱志宇 金湘亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  171-176,200
    摘要: 为解决传统过压保护电路功耗大、易受干扰的问题,基于0.25 μm CMOS工艺设计并实现了一种应用于控制器局域网络(CAN)总线芯片的过压保护电路.其作用是当芯片端口电压高于电源电压或低于地...
  • 作者: 杨宝平 江昆 黄锋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  177-184
    摘要: 依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究.提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结...
  • 作者: 卜建辉 李多力 王林飞 罗家俊 蔡小五 许高博 韩郑生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  185-188
    摘要: 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(B...
  • 作者: 刘纪湾 张瑞英 王林军 郭春扬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  189-193
    摘要: 研究了Cu/SiO2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂(QWI)行为.在多量子阱(MQW)外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)不同厚度...
  • 作者: 傅剑宇 明安杰 王玮冰 罗军 蒋晓钧 贺金鹏 陈大鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  194-200
    摘要: 随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难.基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提...
  • 作者: 宁永强 张亚维 曲轶 李占国 王岳 闫宇轩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  201-205
    摘要: 研究并分析了半导体激光密集谱合束技术中体布拉格光栅(VBG)的热效应问题.为了提高半导体激光器的输出功率及其电光转换效率,利用COMSOL软件模拟了半导体激光器中VBG在自由传导散热和水循环...
  • 作者: 王硕 苑进社 贾佳 邓礼松 高向明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  206-209
    摘要: 研究了层压封装的平面LED光源在高温高温与水下环境的可靠性.平面LED光源采用标准层压工艺封装,对封装后的LED模组进行高温高湿耐候试验与水下环境试验,并与未封装的LED模组进行对比实验.实...
  • 作者: 吴兵硕 张开颜 李浩然 李阳 汪威
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  210-215,222
    摘要: 提出一种基于机器视觉的陶瓷方形扁平封装外观缺陷检测方法.对于封装外形尺寸较大而缺陷较细微的情形,将待检片分为多个区域与标准样片进行比对检测.首先通过Foerstner特征点检测法提取标准片图...
  • 作者: 孙侠 徐辉 汪海
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  216-222
    摘要: 针对负偏置温度不稳定性引起的组合逻辑电路老化,提出了一款消除浮空点并自锁存的老化预测传感器.该传感器不仅可以预测组合逻辑电路老化,而且能够通过传感器内部的反馈来锁存检测结果,同时解决稳定性校...
  • 作者: 赵志斌 赵雨山 邓二平 陈杰 黄永章
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  223-231
    摘要: 随着高压大功率IGBT器件容量的进一步提升,对考核其可靠性的功率循环测试装备在测量精度、测试效率和长期运行可靠性等方面提出了挑战.针对柔性直流输电系统用高压大功率IGBT器件的测试需求,基于...
  • 作者: 丁晨 乔玉娥 刘岩 梁法国 翟玉卫 郑世棋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  232-238
    摘要: 研制了一套用于片上皮法级电容测试系统的电容标准件,量值低至1 pF,频率达到1 MHz.该电容标准件采用GaAs衬底,金属-绝缘层-金属(MIM)结构的电容器阵列实现,其标称值分别为1,10...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  238
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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