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半导体技术2019年第4期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 针对微电容超声换能器(CMUT)微弱电流信号检测的要求,设计了一种用于CMUT的前端专用集成电路——运算放大器(OPA)电路.运算放大器电路采用两级放大结构,第一级采用全差分折叠-共源共栅结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势.通过建立数学模型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).采用高温热氧化栅极...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性.对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析.仿真结果表明,MP...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件.目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高.提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难.基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响.在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术与高温热氧化湿法刻...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 采用水热法以Cu片为基底,Cu (NO3)2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O (Ag/Cu2O)薄膜.研究了样品的光电性能及电容-电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响.利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究.首先对不同应力条件下PMOS晶体管N...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 超大规模集成电路后道工艺(BEOL)中的失效日益增多,例如多层金属化布线桥连、划伤,栅氧化层的静电放电(ESD)损伤、裂纹等失效模式,由于失效点本身尺寸小加上电路规模大,使得失效分析难度增加...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 封装腔体内部的可动粒子会引起半导体器件和电路的短路或间歇性功能失效,从而对其使用可靠性产生影响.粒子碰撞噪声检测(PIND)试验可有效剔除腔体内部含有可动粒子的器件,从而被纳入多项标准中作为...
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14. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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