栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响

• 作者: 信亚杰 周琦 崔兴涛 张波 施宜军 李肇基 李茂林 王方洲 陈万军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 增强型 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 刻蚀技术 击穿电压
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 286-290
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23|TN405.98
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.04.008

摘要

基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响.在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术与高温热氧化湿法刻蚀技术相结合的两步法刻蚀技术,将AlGaN势垒层全部刻蚀掉,制备出了阈值电压超过3V的增强型Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT器件.相比于传统的ICP干法刻蚀技术,两步法是一种低损伤的自停止刻蚀技术,易于控制且具有高度可重复性,能够获得更高质量的刻蚀界面,所制备的器件增强型GaN MIS-HEMT器件具有阈值电压回滞小、电流开关比(ION/IOFF)高、栅极泄漏电流小、击穿电压高等特性.