半导体技术期刊
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38

半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
文章浏览
目录
  • 作者: 刘元红 刘玉柱 刘荣辉 李楠 蒋周青 薛丽青
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  577-582,589
    摘要: 氮化铝(AlN)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景.AlN粉体作为AlN产品的主要原...
  • 作者: 刘召军 张开放 张彦军 张璐 李云超 牟仕浩 闫树斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  583-589
    摘要: 设计了一种输出电流范围在0~2 mA,用于驱动垂直腔面发射激光器(VCSEL)的恒流源电路.电路设计采用负反馈原理,可输出一个稳定的电压,该电压经过电压电流转化为恒定电流.为使输出电流更加稳...
  • 作者: 刘果果 王语晨 闵丹 马晓华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  590-594,622
    摘要: 为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz~40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放...
  • 作者: 余飞 宋云 蔡烁 高雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  595-599,634
    摘要: 设计了一种基于改进共源共栅电流镜的CMOS电流比较器,该比较器在1V电压且电压误差±10℃的状态下都正常工作,同时改进后的结构能够在低电压下取得较低的比较延迟.电路的输入级将输入的电流信号转...
  • 作者: 于宗光 曹晓斌 袁霄 邹家轩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  600-605
    摘要: 针对工业界高速串行接口(SerDes)发射级的驱动器在电离干扰条件下受到单粒子效应(SEE)干扰导致传输出错的问题,分析了经典高速SerDes驱动器结构受SEE干扰的机理,提出了一种采用密勒...
  • 作者: 孔令志 居水荣 徐振邦 李佳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  606-611,651
    摘要: 设计了一种带电流源校准电路的16 bit高速、高分辨率分段电流舵型数模转换器(DAC).针对电流舵DAC中传统差分开关的缺点,提出了一种优化的四相开关结构.系统分析了输出电流、积分非线性和无...
  • 作者: 李富强 赵子润 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  612-616
    摘要: 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC).该衰减器采用T型...
  • 作者: 杜伟华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  617-622
    摘要: 在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升.通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半...
  • 作者: 蒲贤勇 陈佳旅 陈轶群
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  623-627,658
    摘要: 在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响.通过研究p+带嵌入方式、p+图形形状、p+分布...
  • 作者: 于璇 刘旭阳 张保国 杨盛华 王万堂 考政晓 韦伟 马腾达
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  628-634
    摘要: 通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC (4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP).结果 ...
  • 作者: 何泽召 冯志红 刘庆彬 周闯杰 盛百城 蔚翠 郭建超 高学栋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  635-640
    摘要: 通过高温热解法和化学气相沉积(CVD)法在SiC (0001)衬底外延石墨烯.采用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线光电子能谱和霍尔测试系统对样品进行表征,并对比了两...
  • 作者: 张立文 李智 李阳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  641-646
    摘要: 硅通孔(TSV)结构是三维互连封装的核心,针对其热可靠性问题,基于ANSYS有限元分析软件分别构建光滑和粗糙两种界面形貌的TSV结构分析模型,模拟计算了两种界面下TSV结构的热应力和界面分层...
  • 作者: 张垠 方建明 朱彬若 江剑峰 陈选龙 陈金涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  647-651
    摘要: 研究并总结了铜丝键合塑封器件在实际应用环境中工作时发生的几种不同失效模式和失效机理,包括常见封装类型电路的失效,这些封装类型占据绝大部分铜丝键合的市场比例.和传统的实验室可靠性测试相比,实际...
  • 作者: 刘军 苏江涛 许吉 郑兴 郭庭铭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  652-658
    摘要: 大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步.为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以...
  • 作者: 范学仕 邢向明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年8期
    页码:  659-664
    摘要: 小间距发光二极管(LED)显示屏凭借其画面清晰细腻、色彩自然真实、流畅无闪烁等优点,得到广泛应用.为解决小间距LED显示屏因寄生电容影响而产生的开路十字架问题,采用在模拟电路部分判断开路状态...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊