利用平片蓝宝石衬底制备高功率垂直结构LED

• 作者: 杜伟华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 平片蓝宝石衬底 AlN 成核层 粗糙层 垂直结构LED
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 617-622
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.08.008

摘要

在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升.通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半高宽(FWHM)由232"降低至148";通过减薄成核层厚度、提升粗糙层生长压力,将样品(102)面和(100)面的FWHM分别由243"和283"降低至169"和221".研究了不同成核层和粗糙层的生长参数对GaN薄膜表面形貌的影响,随着(102)面和(100)面FWHM的降低,表面平整度亦得到改善,粗糙度由约3.8 nm下降到约1.6 nm.利用优化后的底层条件生长了高质量GaN薄膜,在3.5 A/mm2电流密度下,与参考样品相比,制备出的LED样品的光输出功率由863 mW提升至942 mW,提升了约9℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜伟华		1	1	1.0	1.0