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半导体技术2020年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 极大规模集成电路(GLSI)制造中化学机械抛光(CMP)过程中会产生很多缺陷,其会对产量和可靠性产生不利影响.研究了复合表面活性剂对划伤缺陷数量减少的作用.使用大颗粒测试仪表征抛光液中颗粒尺...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年5期页码:摘要： 在先进制程静态随机存储器(SRAM)单比特失效的分析过程中,SRAM样品制备是关键,传统研磨方法制备的样品其表面容易出现钨栓缺失的问题.利用离子精密刻蚀仪制备用于纳米探针电性能测试的SRAM...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积.其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一.以集成电路制造工...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 设计了一种集成数字内核和数模转换器(DAC)的高速、高分辨率直接数字频率合成器(DDFS).其核心模块相幅转换器采用混合坐标旋转数字计算(CORDIC)算法,以缩短幅度计算的时钟周期,减少硬...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 面向数字型光隔离放大器芯片应用,设计了一款高分辨率和全集成的接收端电路.基于斩波稳定带隙基准源和数据恢复电路进行电路设计.带隙基准源采用斩波稳定运算放大器结构,减小了电路在低频的闪烁噪声;数...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种高效率、低成本的混合型H桥输出驱动器.该输出驱动器采用甲乙类放大器和丁类放大器相结合的非对称H桥结构,并通过反馈环路使两种不同类型的放大器协调工作....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响.该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 设计了GaN基具有超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(SJ CAVET)和具有梯度掺杂超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(GD-SJ CAVET).采用Silvaco TCAD软件对两种器件的电...
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70. 一款高性能IGBT智能功率模块刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM).该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管.采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压.提出了采用分步腐蚀法对高台面...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 采用垂直梯度凝固(VGF)法生长的InP单晶晶锭中部出现气孔,观察了气孔的形成过程,解释了气孔的产生机理,分析了晶体中气孔对晶体质量的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 以吡咯(Py)单体与氧化石墨烯(GO)混合液作为前驱体,通过改变二者的摩尔比,采用控制电位电解库仑力法沉积了聚吡咯(PPy)薄膜与PPy/GO复合薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变...
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74. SiC单晶体放射状裂纹缺陷研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 在采用物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)单晶的过程中,放射状裂纹是常见的缺陷.使用微分干涉显微镜对SiC单晶体和晶体抛光片表面形貌进行观测,结合晶体突变光滑面生长模型,对PVT法生...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 目前倒装芯片用陶瓷外壳的表面处理工艺以化学镀镍/浸金(ENIG)为主,而ENIG带来的黑盘现象使封装产品面临润湿不良和焊接强度不足等一系列问题.化学镀镍/化学镀钯/浸金(ENEPIG)是EN...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 近年来,基于新的有机半导体材料的合成、器件结构的优化以及对太阳电池活性层形貌的有效调控,有机光伏电池(OPV)得到了迅速的发展.目前基于聚合物/小分子共混体系的单结OPV的光电转换效率已经超...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 针对三态内容可寻址存储器(TCAM)高成本、高功耗、路由表更新维护复杂以及搜索结果返回单一等问题,提出了一种使用静态随机存储器(SRAM)和自适应矩阵硬件算法逻辑的搜索芯片设计新技术.该技术...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计并制作了一款50 nΩ吸收式单刀双掷射频开关.开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz～8 GHz频率内具备优异的隔离度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 为了满足电力射频识别(RFID)芯片在-50～125℃的工作温区及高灵敏度的应用需求,定制化开发了芯片宽温区范围内高精度的MOSFET器件SPICE模型,该模型在RFID芯片关键模块中进行了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)固态紫外(UV)探测器在很多领域具有重要的潜在应用价值.针对4H-SiC APD阵列目前面临的像元良率较低和击穿电压一致性差等问题,基于吸收电荷倍增分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 有机电化学晶体管(OECT)被广泛应用于生物传感领域,制备阵列化器件有利于提高传感器的测试通量,降低制造成本.研究了双极电化学在OECT交流电沉积制备中的应用.基于扫描电子显微镜和数字源表,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 利用离子剥离技术在Ge晶圆上制备绝缘体上锗(GOI)时,高剂量H+注入会导致Ge晶格损伤,而且剥离后Ge表面粗糙度较大.为了解决以上问题,在Si衬底上外延Ge/Si0.7Ge0.3/Ge异质...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 采用原子层沉积(ALD)技术,以四氯化钛和水为前驱体,在钠钙玻璃衬底上沉积TiO2薄膜,并进行微波退火处理.通过拉曼光谱、紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 研究不同络合剂(如甘氨酸(Gly)、柠檬酸(CA)、酒石酸(TA))在不同pH值的抛光液中对钴(Co)化学机械抛光(CMP)去除速率的影响.研究结果表明,采用不同络合剂时,随着pH值的升高,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 针对毫米波频段放大器芯片,提出了一种基于有机封装基板和液晶聚合物盖帽的空气腔型封装结构,解决了塑封器件在毫米波频段阻抗失配、插入损耗大和热阻高等问题,且降低了封装成本.通过电磁场仿真,优化了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 随着三维集成技术的飞速发展,硅通孔(TSV)缺陷的检测问题不容忽视.提出了一种新型无损TSV缺陷检测方法,该方法采用混合极限学习机模型对TSV缺陷的S参数进行训练分类,用来预测TSV发生空洞...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： 智能功率模块(IPM)是电力电子设备中的核心器件,为了保证系统安全可靠地运行,IPM电流检测尤为重要.为了提高大功率IPM在短路故障情况下快速检测电流的能力,设计了一种新型内部集成分流电阻的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要： GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要.采用相对灵敏度因子法,以离子注...
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89. 稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 多晶硅广泛应用于太阳电池领域.多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命.碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物.系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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