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半导体技术2020年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 采用快速原位磷注入法合成InP熔体,采用液封直拉(LEC)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶.利用光荧光谱技术、近红外吸收测量和非接触式电阻率测试系统研究了晶体中Fe杂质的分布特性.测试结果表明...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化.而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除.综...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 在减少清洗液对晶圆表面腐蚀的前提下,尽可能地去除表面残留的苯并三唑(BTA)是Cu互连化学机械抛光(CMP)后清洗的研究重点.选择了两种非离子表面活性剂聚乙二醇辛基苯基醚(Triton X-...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术.首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μ...
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125. 高厚度均匀性晶圆双面电镀金技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 分析了晶圆双面电镀金工艺过程中影响镀层厚度均匀性的因素,通过单因素对比实验,研究阴极触点数量、电场屏蔽板开孔尺寸、旋转桨与晶圆间距和旋转桨转速等因素对镀金层厚度均匀性的影响及其影响机理.当阴...
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126. 二维多芯片组件热阻模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 随着芯片功率密度的增大,对多芯片组件(MCM)可靠性设计提出了更高的要求,热阻是MCM可靠性设计的重要参数之一,影响着芯片的结温和运行条件.以MCM发光二极管(LED)为例,对热阻拓扑网络模...
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127. 电动汽车用功率模块功率循环测试装置的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 高功率密度的功率模块是电动汽车的关键部件,其长期可靠性直接关系到电动汽车的可靠性,功率循环实验是检验功率模块可靠性的有效方法之一.针对电动汽车用功率模块对功率循环测试装置的需求以及测试标准A...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 对GaN HEMT瞬态结温测试中应用最广泛的3种光学测温技术进行了综述,分析了3种光学测试技术的优势和局限性.红外测温技术测试速度快、效率高,适用于大批量产品的筛选测试等,但是其响应时间为1...
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129. 一种单引脚修调电路的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 使用一次可编程结构对关键参数进行修调是提升集成电路精度及成品率的一种常用方法.但是,传统的修调电路采用I2C等通信协议来控制修调过程,需要占用较多的集成电路引脚资源.因此,提出了一种使用归零...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 通过提升功率传输效率和降低电路功耗,设计了一种适用于低功率微弱能量收集的DC-DC升压转换器.升压转换器主要包括核心电路、最大功率点跟踪(MPPT)电路、零电流开关(ZCS)转换电路、振荡器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 介绍了一种适用于宽带中频(IF)滤波器的运算放大器共模补偿方法,并将其应用于较大带宽有源RC滤波器中,如宽带宽接收机中频的电路和高频模数转换器抗混叠滤波器等.运算放大器通过前馈方式补偿共模次...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8～ 2.7 GHz的高线性驱动放大器.电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 针对IGBT芯片被封装在模块内部,芯片结温无法直接测量的问题,提出了基于思维进化算法(MEA)优化的反向传播(BP) (MEA-BP)神经网络算法的IGBT结温预测算法模型.首先,利用温敏电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路.该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻.根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器...
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135. 氧化孔径对VCSEL功耗和效率的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 高温导致垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率滚降,功率转换效率降低.为了研究高环境温度中VCSEL的温度稳定性和功率转换效率,通过测试不同环境温度下不同氧化孔径波长850 nm VCS...
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136. 维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化.研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不...
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137. 环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性.通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 在集成电路多层Cu互连化学机械抛光(CMP)后清洗工艺中,需要去除CMP时Cu表面的生成物和残留物,并保护互连金属Cu与阻挡层金属不被腐蚀.研究了基于FA/OⅡ的碱性清洗液中抑制剂1,2,4...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 研究了新型缓蚀剂2,2'-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)和抛光液pH值对铜图形片(以Ru/TaN为阻挡层)化学机械平坦化(CMP)性能的影响.实验结果表明,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 金刚石氮空位(NV)色心量子传感器相较其他量子传感器在灵敏度、集成难易度、工作适应性等方面具有优势,正在成为研究热点.在集成NV色心量子传感器研制过程中发现,微波场驱动NV色心能级间的电子跃...
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142. 一种逐次逼近寄存器型模数转换器刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 设计了一种逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC).提出了一种新型全动态钟控比较器结构,消除了比较器的亚稳态误差,解决了ADC输出不稳定的问题,实现了失调和噪声之间良好的折中,提升了AD...
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143. 一种双极型轨到轨功率运算放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 基于双极型工艺设计了一种双通道轨到轨功率运算放大器,其功能模块包括:基准偏置、输入级、中间级和输出级电路.输入级电路采用两组npn、pnp型差分输入对管组成的轨到轨输入结构,配合电流开关电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 基于0.15 μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研...
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146. 基于硅钛氧化物复合薄膜的有机场效应晶体管刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备.采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性.首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MO...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 将基于InGaP/GaAs HBT工艺的高线性功率放大器芯片、CMOS控制芯片、输出匹配电路集成于双层基板,研制了一款工作在S波段的高效率、高谐波抑制功率放大器模组(MCM).通过在输出匹配...
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149. 电化学定域性刻蚀多孔InP光波导刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导.使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多...
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150. 塑封微摄像头内湿热应力及失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年12期页码:摘要： 按照JEDEC标准对一种含空腔的塑封微摄像头器件进行了吸湿试验和回流焊.分析了器件的失效模式,采用有限元法进行湿扩散、热传导和湿热应力模拟.模拟结果显示,器件空腔内压力达到饱和蒸气压且与湿热...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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