半绝缘LEC-InP中Fe杂质浓度的分布均匀性

• 作者: 孙聂枫 杨瑞霞 王书杰 田树盛 陈春梅 黄子鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP 液封直拉(LEC)法 固液界面 熔体对流 杂质均匀性 Fe
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 770-774
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.006

摘要

采用快速原位磷注入法合成InP熔体,采用液封直拉(LEC)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶.利用光荧光谱技术、近红外吸收测量和非接触式电阻率测试系统研究了晶体中Fe杂质的分布特性.测试结果表明,在垂直晶锭生长方向切下的(100) InP晶片中,Fe杂质浓度分布一般呈环状,从样品中心部位到边缘部位Fe杂质浓度逐渐升高,这是由于晶体拉制过程中,固液界面为凸向熔体形状所致.但在有些(100) InP样品中,Fe杂质浓度呈条状分布.这种条状的Fe杂质浓度分布特征与晶体生长过程中熔体的对流形成的涡胞形状和涡流方向有关.因此,固液界面并不是影响Fe杂质浓度分布的唯一因素,熔体中涡流对Fe杂质浓度分布的影响是拉制掺Fe InP单晶工艺中需要考虑的重要因素之一.