半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
出版文献量(篇)
5044
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  • 作者: 倪毅强 方建明 林晓玲 王有亮 陈选龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  329-337,370
    摘要: 集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作.失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程.根据IC的结构特...
  • 作者: 刘海涛 吴俊杰 张理振 沈逸骅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  338-344
    摘要: 设计了一种高动态性能电流舵数模转换器(DAC),其满摆幅输出电流为20 mA.采用三段分段结合低位R-2R网络的混合分段结构,整个DAC仅使用了两种不同尺寸的电流源单元.采用模拟前台校准技术...
  • 作者: 王宇星
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  345-351
    摘要: 为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器.该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0....
  • 作者: 孟昭亮 张乐 徐建清 文阳 杨媛 高勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  352-358,408
    摘要: 近年来基于SiC和GaN的宽禁带半导体器件开始逐渐替代传统的Si IGBT器件,而面对高的开关速度所带来的问题,宽禁带半导体器件的开关特性分析以及驱动电路的设计在系统可靠运行方面显得尤为重要...
  • 作者: 王德波 王新国 董柳笛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  359-363
    摘要: 与其他光电探测器相比,基于石墨烯的光电探测器具有响应度好、响应频率和探测灵敏度高等优点.在器件工作期间,温度对其性能的影响不可忽略.为了解决由于温度过高而带来的性能不稳定问题,针对光电探测器...
  • 作者: 王素元
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  364-370
    摘要: 提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET).该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层...
  • 作者: 张奕泽 张静 徐进 来龙坤 梁竞贤 罗卫军 闫江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  371-378
    摘要: 为了更好地表征Si基超薄InAlN/GaN HEMT开关器件的特性和开发更精确的开关电路模型,基于0.25 μm HEMT工艺制备了不同栅极电阻的开关器件,提出了附加10 kΩ栅极电阻的器件...
  • 作者: 寻飞林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  379-382,403
    摘要: 采用物理气相沉积(PVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)图形化蓝宝石衬底(PSS)上沉积4种AlN或AlON薄膜样品,使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在样品上外延生长GaN.通...
  • 作者: 兰天平 周春锋 曹志颖 罗惠英 边义午
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  383-389
    摘要: 为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶.将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空...
  • 作者: 刘惠生 史艳磊 孙聂枫 张伟才 徐森锋 杨洪星 索开南
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  390-395,408
    摘要: 通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量.与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能...
  • 作者: 刘玉岭 张辉辉 曾能源 王聪 王辰伟 罗翀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  396-403
    摘要: 极大规模集成电路(GLSI)制造中化学机械抛光(CMP)过程中会产生很多缺陷,其会对产量和可靠性产生不利影响.研究了复合表面活性剂对划伤缺陷数量减少的作用.使用大颗粒测试仪表征抛光液中颗粒尺...
  • 作者: 庞凌华 曹守政 钱洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年5期
    页码:  404-408
    摘要: 在先进制程静态随机存储器(SRAM)单比特失效的分析过程中,SRAM样品制备是关键,传统研磨方法制备的样品其表面容易出现钨栓缺失的问题.利用离子精密刻蚀仪制备用于纳米探针电性能测试的SRAM...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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