GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管

• 作者: 王素元
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 无结型隧穿场效应晶体管(JLTFET) GeSn Ge 带带隧穿(BTBT) 亚阈值摆幅
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 364-370
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.006

摘要

提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET).该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层感应出空穴(p型)或电子(n型),在无需掺杂的前提下,形成器件的源区、沟道区和漏区,从而避免了使用复杂的离子注入工艺和引入随机掺杂波动.该器件减小了隧穿路径宽度,提高了开态电流,获得了更陡峭的亚阈值摆幅.仿真结果表明GeSn/Ge-hetero JLTFET的开态电流为7.08×10-6 A/μm,关态电流为3.62×10-14 A/μm,亚阈值摆幅为37.77 mV/dec.同时,GeSn/Ge-hetero JLTFET的相关参数(跨导、跨导生成因子、截止频率和增益带宽积)的性能也优于传统器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王素元	中国民航大学理学院	1	0	0.0	0.0