PVD AlON缓冲层的GaN外延层生长

• 作者: 寻飞林
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN AlON AlN 图形化蓝宝石衬底(PSS) 物理气相沉积(PVD)
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 379-382,403
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.008

摘要

采用物理气相沉积(PVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)图形化蓝宝石衬底(PSS)上沉积4种AlN或AlON薄膜样品,使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在样品上外延生长GaN.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)与高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM)对GaN外延层进行表征分析.实验结果表明:在PSS上溅镀AlN缓冲层时,AlN/蓝宝石界面处的氧浓度决定GaN样品的生长模式.通入氧形成的AlON能够减少GaN晶体在PSS侧壁生长,提高GaN晶体质量.GaN/AlON或(AlN/AlON)/PSS结构的GaN的螺位错密度为4.40×107～5.03×107 cm-2,刃位错密度为1.70× 108～1.71×108 cm-2;而GaN/AlN或(AlON/AlN)/PSS结构的GaN的螺位错密度为2.55×108～7.65×108 cm-2,刃位错密度为1.38×1010～2.89× 1010 cm-2;GaN/AlN/PSS结构相比GaN/AlON/PSS结构的GaN位错密度高1～2个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	寻飞林		1	0	0.0	0.0