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半导体技术2021年第3期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测.虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽...
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2. 晶圆级多层堆叠技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求.晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 在纳米锁存器中,由电荷共享效应导致的多节点翻转(MNU)正急剧增加,成为主要的可靠性问题之一.尽管现有的辐射加固锁存器能够对MNU进行较好的容错,但是这些加固锁存器只依赖于传统的冗余技术进行...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 研制了一款60～90 GHz 功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC 采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR).采用G...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET 栅源电压工作在...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 通过旋涂法制备垂直型的g-C3N4/p++-Si异质结器件,研究该异质结器件的光电特性,探索其在可见和紫外光区的光电响应规律.该器件在零偏压和反偏压下均有明显的光电响应.在-1 V偏压下器件...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD 防护器件在30～195℃内的ES...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型.对功率器件的动态特性和静态特性进行综合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 为使3 300 V及以上电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作结温达到150℃以上,设计了一种具有高结终端效率、结构简单且工艺可实现的线性变窄场限环(LNFLR)终端结构.采用TCAD...
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10. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D 封装SRAM模型,并选取6组相同线性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元.由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素.针对一款微控制单元(MCU)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 焊料老化是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块内部传热能力退化和结温估计偏离的主要诱因.利用壳温与焊料老化程度间的对应规律构建了两者的量化关系,提出了焊料老化状态监测方法.采用与功率损耗无关的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统.该系统基于FPGA 高性能、高速度、高灵活性和大...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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