用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性

• 作者: 王加鑫 李晓静 赵发展 曾传滨 李博 韩郑生 罗家俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温 传输线脉冲(TLP)
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 210-215
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.007

摘要

研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD 防护器件在30～195℃内的ESD 防护特性进行了测试.讨论了温度对ESD 特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD 防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11％,失效电流也降低近9.1％,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD 特征参数发生上述变化的原因.研究结果为应用于高温电路的ESD 防护器件的设计与开发提供了有效参考.