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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 退火过程中自组织生长Ge量子点的变化
    作者： 张翔九 杨建树 胡冬枝 胡际璜 蒋最敏 蔡群
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  561-564
    摘要： 在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原来的在分子...
  • 2. 采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长
    作者： 张广泽 朱晓鹏 王国宏 陈良惠 韦欣 马骁宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  565-570
    摘要： 采用MOCVD方法,利用二甲基肼为氮源,进行了GaNAs材料的生长.利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分.采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质.讨论了不同的镓源对...
  • 3. 高温处理对镍诱导晶化硅上的薄膜晶体管性能的影响
    作者： C.Y.Yuen Vincent Poon 樊路加 秦明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  571-576
    摘要： 采用标准双栅CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管,并详细研究了器件制备前高温预处理对薄膜晶体管性能的影响.实验发现不同的温度处理,将引起器件性能的显著变化...
  • 4. 用6×6 Luttinger-Kohn模型和平面波展开方法计算应变量子阱材料的价带结构
    作者： 国伟华 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  577-581
    摘要： 用6×6Luttinger-Kohn模型结合平面波展开方法计算了应变量子阱材料的价带结构,分析了用来展开的平面波的数目和周期对能量本征值的影响.在实际计算中,平面波的周期必须选择足够大以保证...
  • 5. 长线网预处理的过点分配算法
    作者： 张轶谦 洪先龙 蔡懿慈 谢民
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  582-588
    摘要： 提出了一个长线网预处理的过点分配算法.该算法不仅考虑了过点和物理连接端的连接费用、总体布线单元边界上不同过点之间的互斥费用,而且考虑了同一线网不同过点之间的错位费用.实验结果表明,该算法极大...
  • 6. 透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算
    作者： 范志新
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  589-592
    摘要： 分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程.该方程的极值点确...
  • 7. 在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应
    作者： 安霞 庄惠照 李怀祥 杨莺歌 薛成山
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  593-598
    摘要： 用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AF...
  • 8. 有机衬底SnO2∶Sb透明导电膜的研究
    作者： 张德恒 徐现刚 郝晓涛 马洪磊 马瑾
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  599-603
    摘要： 采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2∶Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.Sn...
  • 9. Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长
    作者： 张翔九 施斌 胡冬枝 蒋伟荣 蒋最敏 赵登涛 顾骁骁
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  604-608
    摘要： 研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长...
  • 10. 用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜
    作者： 忻佩胜 朱自强 石艳玲 赖宗声 龙永福
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  609-613
    摘要： 提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了...
  • 11. 一种计算单模波导输出的快速方法及其在结构优化中的应用
    作者： 何赛灵 戴道锌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  614-618
    摘要： 提出了一种快速准确的新方法,用以计算入射场耦合到波导的能量.这种方法将BPM(beam propagation method)和叠加积分法结合起来,克服了单独用BPM计算场分布的效率较低的缺...
  • 12. 聚合物阵列波导光栅波分复用器传输特性分析
    作者： 刘式墉 崔占臣 张大明 赵禹 郭文滨 陈开鑫 陈维友 马春生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  619-623
    摘要： 针对一种中心波长为1.55μm、波长间隔为1.6nm的聚合物阵列波导光栅波分复用器,对其功率分布、分波波谱、自由光谱区(FSR)、衍射效率、串扰等进行了详细的分析.并对波导芯尺寸、相邻阵列波...
  • 13. 垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用
    作者： Hailin Luo Y.Wang 宋俊峰 崔洪峰 常玉春 杜国同 王金忠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  624-627
    摘要： 在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低...
  • 14. 隧道结AlGaInP发光二极管
    作者： 张广泽 李玉璋 沈光地 王国宏 郭霞 陈良惠 韦欣 马骁宇 高国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  628-631
    摘要： 报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种...
  • 15. 一种新颖结构紧凑的AWG器件
    作者： 李柏阳 杨建义 江晓清 王明华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  632-636
    摘要： 给出一种基于SOI材料结构紧凑的新颖AWG器件,它是将一个全内反射波导镜插入原波导阵列中间,并且利用全内反射时产生的相位差进行TE、TM模偏振补偿的方法,该器件具有尺寸小、制作工艺简单等特点...
  • 16. 全定制软/硬件协同设计中的硬件优化技术
    作者： 仇玉林 汤磊 魏少军
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  637-644
    摘要： 提出了基于单相似系统生成的软/硬件协同设计中的硬件优化技术.介绍了一种基于子图匹配软/硬件协同设计技术的大致框架,引进通用子图群合并算法,并着重讨论了基于节点压缩优化技术的高效子图群合并算法...
  • 17. 有机半导体薄膜三极管的研制
    作者： 工藤一浩 朱敏 王东兴 田中国昭
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  645-650
    摘要： 采用真空蒸镀法和有机半导体材料酞菁铜,制作Au/CuPc/Al/ CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管.该三极管导电沟道垂直于CuPc薄膜,与采用MOSFET结构的有机薄...
  • 18. 开路缺陷的软故障关键面积研究
    作者： 刘宁 张进城 赵天绪 郝跃 陈太峰 马佩军
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  651-654
    摘要： 从软故障的产生机制出发,研究了软故障的作用模式.为了计算软
  • 19. 球栅阵列倒装焊封装中的热应变值的测试
    作者： 严超华 傅艳军 李仁增 李禾
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  655-659
    摘要： 利用高温云纹实验方法测试球栅阵列(BGA)封装焊点的热应变,采用硅橡胶试件光栅复制技术,使测试环境温度提高到200℃.通过实时热应变测量,得到各焊点的热应变关系以及封装材料、电路板各部分的热...
  • 20. 倒扣芯片连接焊点的热疲劳失效
    作者： 张群 彩霞 徐步陆 程兆年 谢晓明 陈柳 黄卫东
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  660-667
    摘要： 测量了有无芯下填料B型和D型两种倒扣芯片连接器件的焊点温度循环寿命,运用超声显微镜(C-SAM)和扫描电镜(SEM)观察了焊点微结构粗化和裂纹扩展,并采用三维有限元模拟方法分析了焊点在温度循...
  • 21. 用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究
    作者： 刘理天 王晓红 谢克文 陈兢
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年6期
    页码:  668-672
    摘要： 提出了一套采用扩散工艺在低掺杂的硅衬底上选择性形成多孔硅牺牲层,并制作了MEMS器件结构的工艺流程,进行了工艺流水.对得到的结果进行了详细的讨论.对于KOH溶液释放多孔硅牺牲层技术进行了研究...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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