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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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目录
  • 1. 稀磁半导体ZnX∶Co2+光磁性质的双共价因子和双ξ模型
    作者： 施思齐 欧阳楚英 雷敏生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  897-901
    摘要： 考虑到d电子t2g轨道与eg轨道局域性的差异,用双共价因子研究了掺Co2+的共价晶体ZnX(X=S,Se)的光学吸收谱.在研究顺磁g因子时,除考虑中心离子的旋-轨耦合贡献外,还计及配体的旋-...
  • 2. VHF-PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备
    作者： 任慧智 吴春亚 张丽珠 李岩 李洪波 杨恢东 熊绍珍 耿新华 薛俊明 麦耀华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  902-908
    摘要： 采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si∶H薄膜.对薄膜的厚度测量表明:增大激发频率和反应气压能有效提高沉积速率;随着等离子体功率密度的增...
  • 3. FINFET的三维模拟
    作者： 刘恩峰 刘晓彦 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  909-913
    摘要： 采用三维模拟软件对具有FINFET结构的SOI-MOSFET进行了模拟.研究了FINFET的I-V特性、亚阈值特性、短沟道效应等.模拟发现,通过降低fin的高度可以有效地抑制短沟道效应与提高...
  • 4. 多晶硅微机械开关
    作者： 张正元 张正番 徐世六 李开成 温志渝 黄尚廉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  914-920
    摘要： 利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题,获得了淀积弱张应力的多晶硅膜的最佳工艺条件,研制出多晶硅微机械开关.初...
  • 5. 用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器
    作者： 刘志农 李高庆 贾宏勇 钱佩信
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  921-924
    摘要： 报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24d...
  • 6. 半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理
    作者： 刘建军 杨国琛 苏会
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  925-929
    摘要： 利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值.计算结果表明:的确存在一个参数(杂质有效玻尔半径)可用来完全确定束缚能的值,而不必考虑截面的形状和尺寸;体系的维里定...
  • 7. 注铒a-SiOx∶H中Er3+发光与薄膜微观结构的关系
    作者： 宋淑芳 王永谦 许振嘉 郭少令 陈维德 陈长勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  930-934
    摘要： 采用光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)谱研究了掺铒a-SiOx∶H(a-SiOx∶H〈Er〉)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化.PL谱的测量结果表明:薄膜在1.54μ...
  • 8. 半导体相移分布反馈激光器模式及调制相应特性的研究--牛顿-矢量方法的应用
    作者： 刘式墉 张冶金 朱林 董毅 谢世钟 陈明华 陈维友 高志国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  935-940
    摘要： 给出了适于分析DFB激光器稳态特性的数值模型和分析振幅及频率调制响应特性的解析模型.研究了3相移DFB激光器的调制响应特性,并提出了一种能够快速精确得到DFB激光器多个模式解的新方法--矢量...
  • 9. 大带宽半导体光学放大器的理论分析
    作者： 冯志伟 张瑞英 张靖 王圩 董杰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  941-946
    摘要： 提出一种新型的半导体光学放大器结构,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律.通过剖析该结构中有源区各部分的作用,得出大的张应变的引入主要是用于提高TM模的...
  • 10. 射频微机械开关的计算机辅助设计
    作者： 孙晓玮 朱守正 朱自强 李小卫 程知群 赖宗声 郭方敏 魏华征
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  947-951
    摘要： 应用计算机辅助设计(CAD)方法模拟设计一种射频微机械(RF-MEMS)开关.用Agilent ADS软件模拟分析了共面波导的传输线损耗和MEMS开关的等效电路模型,并应用ANSYS软件模拟...
  • 11. 薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取
    作者： 刘红侠 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  952-956
    摘要： 采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力...
  • 12. 用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数
    作者： 刘训春 石华芬 石瑞英 钱永学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  957-961
    摘要： 将遗传算法用于HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度.在1～26.5GHz频...
  • 13. 基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管
    作者： 刘喆 崔得良 徐现刚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  962-965
    摘要： 采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良...
  • 14. 一种结构调整后的DSOI器件
    作者： 何平 林羲 江波 田立林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  966-971
    摘要： 提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器...
  • 15. 高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器
    作者： 卿健 忻佩胜 朱自强 石艳玲 赖宗声
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  972-976
    摘要： 级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝...
  • 16. vfBGA内部芯片断裂问题
    作者： 宗祥福 庞恩文 林晶 郁芳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  977-982
    摘要： 利用ANSYS软件以有限元分析的方法研究了vfBGA器件内部芯片断裂问题.通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小.根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断...
  • 17. φ76mm GaAs有源器件模型库
    作者： 李拂晓 蒋幼泉 郝西萍 陈效建 陈新宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  983-987
    摘要： 采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术,建立与φ76mm GaAs工艺线直接结合的GaAs器件(MESFET,PHEMT)的MMIC CAD适用器件模型及模型库,并通过对不...
  • 18. 150Ms/s、6bit CMOS数字工艺折叠、电流插值A/D转换器
    作者： 刘飞 吉利久
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  988-995
    摘要： 在1.2μm SPDM标准数字CMOS工艺条件下,实现6bit CMOS折叠、电流插值A/D转换器;提出高速度再生型电流比较器的改进结构,使A/D转换器(ADC)总功耗下降近30%;提出一种...
  • 19. 能量回收电路的功耗优化方法
    作者： 周润德 张盛 戴宏宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  996-1000
    摘要： 能量回收电路的非绝热损失正比于CLΔV2,文中提出了两种方法降低CL和ΔV因子.HEERL(high efficient energy recovery logic)电路利用自举效应减小了回...
  • 20. GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现
    作者： 付羿 冯志宏 孙元平 张书明 张泽洪 杨辉 赵德刚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  1001-1005
    摘要： 利用光学薄膜原理,计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性.以Ni为粘附层,Ag为反射层的Ni/Ag/Au薄膜体系可以使立方GaN的出光效率从理论上提...
  • 21. ULSI铜互连线CMP抛光液的研制
    作者： 刘玉岭 王新
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年9期
    页码:  1006-1008
    摘要： 介绍了一种碱性抛光液,选用有机碱做介质,SiO2水溶胶做磨料,依据强络合的反应机理,克服了SiO2水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点.实验结果表明:该抛光液适用于Cu化学机械抛光...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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