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半导体学报(英文版)2003年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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271. 基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm2,对应的低温(77K...
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272. 电子束直写邻近效应校正技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综合效应,可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响,使邻近效应校正...
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273. 高性能42nm栅长CMOS器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 研究了20～50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,N...
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274. 用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400～10kH...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 用热蒸发和自然氧化法制备纳米量级Al/Al2O3多层膜.检测XPS光电子能谱和UPS谱线,得到Ei(k∥I)关系曲线,并发现薄膜具有负阻特性.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag-TCNQ的薄膜进行电学性质的表征与改性,在针尖强电场的作用下,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态,这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的...
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277. 微细碳粉对新型投影显示屏光学性能的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 研究了微晶石墨和鱼骨状碳管的添加对新型投影显示屏光学性能的影响.结果表明,添加后投影显示屏样品的亮度并没有下降,添加鱼骨状碳管的投影显示屏的亮度和亮度均匀性均高于添加微晶石墨的投影显示屏,并...
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278. 纳米氢氧化镁的结构表征和阻燃特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用活性剂包覆的溶液沉淀法制备了不易团聚的纳米氢氧化镁粉体.经透射电镜表征,其形态是短轴方向尺寸为6～9nm,长轴方向尺寸为50～100nm的针状粒子.随着氢氧化镁粒径的减小,光致发光光强度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用分子束外延枝术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过改变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,用于研制8～12μm...
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280. 基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电...
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281. 纳米胆甾型液晶材料的合成刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 经缩聚反应合成了纳米胆甾型液晶材料.通过改变手性组分含量、手性化温度以及调节分子间纳米级螺距,使聚合物表现出不同的光学和波谱性能.制备出了随入射光的入射方向和观察方向不同而色彩变化、表面均匀...
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282. 高性能硬盘基片用纳米相微晶玻璃的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用X-ray衍射分析、差示扫描量热及扫描电镜等手段,研究了Li2O-MgO-Al2O3-SiO2系统中晶化剂TiO2不同添加量和晶化热处理工艺对纳米相微晶玻璃制备的影响,探讨了TiO2的晶...
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283. Si3N4微尺度薄膜的热物性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： Si3N4薄膜被广泛应用于微机械和微电子器件中,其热物性在某些器件中显得很重要.为了研究Si3N4薄膜的热容、辐射、对流等热物性,文中设计出一种悬膜结构,并从理论上分析了此结构的传热机理.实...
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284. 分子电子学简介刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 分子电子学是微电子学发展的一个方向.文中介绍了分子电子学的发展过程、研究内容、近期的一些主要进展、存在的问题和今后的发展趋势.
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285. 从水溶液中沉积光催化活性TiO2薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 将基质玻璃片浸渍在含配合物TiF2-6,F-离子捕获剂H3BO3,及加有结晶诱导剂TiO2纳米晶的过饱和水溶液中,在基质上沉积TiO2薄膜.在沉积温度35℃和TiF2-6水溶液的浓度为0.1...
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286. 新型纳米材料天线刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用新型纳米材料作为天线的激励源,应用时域有限差分法(FDTD)对采用纳米材料作为天线激励源的渐宽式微带缝隙天线进行了分析计算.理论分析与实测结果一致,证明了分析方法的有效性.
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287. 纳米级MOSFET的模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟...
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288. 纳米疏水催化剂Pt/C/PTFE的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用微乳液法制得粒径为6～8nm的Pt粒子,控制Pt粒子沉积温度、载体成型压力及热处理过程制得纳米疏水催化剂Pt/C/PTFE,在氢同位素气-液交换过程中,初步研究了其催化活性.结果表明:5...
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289. 压力传感器用NiCr纳米薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用离子束溅射纳米薄膜技术和半导体微细加工技术,将纳米薄膜应变电阻直接制作在金属弹性体上,实现了敏感元件与弹性体的原子结合,有效地解决了传统压力传感器中"零点漂移"技术难题,真正实现了在高温...
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290. 减反射薄膜的制备及其性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 使用射频溅射和溶胶-凝胶(Sol-Gel)两种方法在玻璃表面制备SiO2减反射薄膜,比较两种方法制备的薄膜减反效果.分析了Sol-Gel方法中溶胶浓度、陈化时间以及退火温度对薄膜透过率的影响...
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291. 硅微机械平面电感的衬底效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果...
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292. 纳米级电子束直写曝光的基础工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段.引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正....
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294. 纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序.该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程.并利用该程序,对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能.
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296. 磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射方法在p-Si (111)衬底上淀积5nm Pt膜,退火后形成PtSi薄膜,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征.实验结果表明,工艺条件影响PtS...
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297. 纳米晶SnO2薄膜的结晶特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 提出了一种利用电子-核子自旋的半导体固体量子计算机实现方案.通过扫描隧道显微镜的针尖实现单个比特的寻址、操作以及任意两个比特之间的受控非门操作.方案中所涉及到的技术是目前已有的或者是接近于现...
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300. 纳米电子学刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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